通过化学气相沉积法（CVD）生长碳纳米管时使用的催化剂通常是金属，镍是常用的金属之一。这种方法需要使用金属催化剂来促进前驱气体在基底上的反应，从而使碳纳米管能够在比其他方法更低的温度下生长。
详细说明：
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金属催化剂在 CVD 中的作用：
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在催化 CVD 过程中，金属催化剂在启动和控制碳纳米管 (CNT) 生长方面起着至关重要的作用。催化剂为含碳前驱气体的分解提供了一个表面，从而导致碳的沉积和 CNT 的形成。催化剂的选择及其特性对碳纳米管的生长速度、结构和质量有很大影响。常用催化剂：
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镍因其高效和相对低廉的成本而经常被使用。也可使用铁和钴等其他金属，通常取决于 CNT 的具体要求，如直径、长度和排列。催化剂通常以薄层形式沉积在基底上，如 Hofmann 等人的研究在硅基底上使用了 6 纳米的镍层。
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催化剂对 CNT 生长的影响：
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催化剂不仅有助于降低反应温度，还能更好地控制 CNT 生长过程。催化剂层的厚度、催化剂的应用方法和催化剂的预处理等因素都会影响 CNT 生长的特性。例如，Hofmann 等人的研究表明，可以通过调整停留时间、流速和生长压力等参数来控制 CNT 的直径，而所有这些参数都会受到催化剂活性的影响。催化 CVD 的优势：
在 CVD 中使用金属催化剂具有多种优势，包括可以在较低温度下生长 CNT，从而降低能耗和设备成本。此外，催化剂还能更好地控制 CNT 的结构特性，这对其在电子、复合材料和储能等多个领域的应用至关重要。
