在比较等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和化学气相沉积（CVD）时，主要区别在于沉积过程的启动方式和所需温度。
PECVD 和 CVD 的 4 个主要区别
1.活化机制
PECVD 使用等离子体在较低温度下启动和维持化学反应。
CVD 依靠热能，通常温度较高。
2.温度要求
PECVD 允许在接近环境温度的条件下进行沉积，这有利于对高温敏感的材料。
CVD 需要高温来驱动化学反应，从而在基底上沉积薄膜。
3.工艺说明
PECVD 工艺：
PECVD 是一种利用等离子体激活源气体或蒸汽的真空薄膜沉积工艺。
等离子体由电子源产生，产生化学性质活跃的离子和自由基，参与异质反应。
这种方法非常适合塑料等无法承受高温的材料。
CVD 工艺：
CVD 依靠热能激活化学气相前驱体的分解。
这种还原通常在高温下使用氢气完成。
高温是促进薄膜沉积反应的必要条件。
4.比较与优势
与化学气相沉积法相比，PECVD 的主要优势在于能在明显较低的温度下沉积薄膜。
这种能力扩大了可能的基底范围，包括无法承受传统 CVD 工艺高温的材料。
由于等离子体提高了化学活性，PECVD 可以沉积更多的涂层材料。
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