物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）是在基底上沉积薄膜的两种不同方法。
物理气相沉积涉及材料状态从固态或液态到气态的物理变化，而不产生新物质。
CVD 涉及消耗旧材料并生成新物质的化学反应。
物理气相沉积（PVD）：2 种常见技术
在物理气相沉积过程中，待沉积材料被加热至气相状态，通常高于其熔点，然后凝结到目标表面。
此过程不涉及任何化学反应。
PVD 的常见技术包括蒸发沉积和溅射沉积。
在蒸发沉积过程中，材料在真空中加热直至变成蒸汽，然后凝结在基底上。
溅射沉积是用高能粒子轰击目标材料，喷射出原子，然后沉积到基底上。
PVD 通常用于沉积金属，但也可使用电子束蒸发等技术沉积氧化物和半导体，通常用于防反射涂层。
化学气相沉积（CVD）：3 种工艺
化学气相沉积是指将反应气体引入一个腔室，使其在热表面上发生反应或分解，形成稳定的固体产物。
这些反应直接发生在基底表面，从而形成薄膜。
CVD 过程可以通过等离子体进行热激活或增强。
等离子体增强型 CVD（PECVD）通常用于沉积二氧化硅和氮化硅等电介质。
该工艺涉及化学反应，消耗气态前驱体，在基底上生成固态薄膜。
CVD 广泛应用于半导体行业，用于生产高纯度、高性能的材料。
比较与环境影响：1 个主要区别
PVD 和 CVD 的主要区别在于化学反应的参与。
PVD 采用物理方法，不产生新物质，几乎无污染，在注重环保的社会中越来越受到青睐。
相反，CVD 涉及复杂的化学反应，可能会产生新物质，从而对环境造成影响。
PVD 和 CVD 对于各种工业应用都至关重要，其选择取决于对材料特性和制造工艺的具体要求。
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