等离子体增强化学气相沉积（PECVD）根据具体应用和所需的薄膜成分使用不同的气体。
PECVD 中的 5 种常用气体
1.硅烷（SiH4）
硅烷是 PECVD 过程中常用的前驱气体，用于沉积氮化硅和氧化硅等硅基薄膜。
它与其他气体混合以控制薄膜特性。
2.氨气（NH3）
氨是 PECVD 过程中使用的另一种前驱气体。
它通常与硅烷一起用于沉积氮化硅薄膜。
氨气有助于控制薄膜中的氮含量。
3.氩气（Ar）
氩是一种惰性气体，通常用作 PECVD 过程中的载气或稀释气体。
它与前驱体气体混合以控制反应并确保薄膜的均匀沉积。
4.氮气（N2）
氮气是另一种可用于 PECVD 过程的惰性气体。
它通常用作载气或稀释气体，以控制反应并防止不希望发生的气相反应。
5.甲烷 (CH4)、乙烯 (C2H4) 和乙炔 (C2H2)
这些碳氢化合物气体用于生长碳纳米管 (CNT) 的 PECVD 过程。
它们在等离子体中解离生成无定形碳产品。
为防止形成无定形产品，这些气体通常用氩气、氢气或氨气稀释。
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