MOCVD，即金属有机化学气相沉积，是一种用于生长化合物半导体的技术。
它涉及在气相外延工艺中使用有机金属化合物作为前驱体。
这种方法使用 III 族和 II 族元素的有机化合物以及 V 族和 VI 族元素的氢化物。
这些化合物在气相中被热分解，从而在基底上沉积出单晶层。
4 个要点说明
1.前驱体材料和工艺设置
在 MOCVD 中，前驱体通常是有机金属化合物，如用于 III 族元素的三甲基铟（TMI）和用于 V 族元素的砷化氢（AsH3）。
这些前驱体在载气（通常为氢气）中气化，然后引入反应室。
反应室通常是在大气压或低压（10-100 托）下运行的冷壁石英或不锈钢装置。
基底置于加热的石墨基座之上，温度保持在 500 至 1200°C 之间。
2.外延生长
气化的前驱体被载气带到加热基底上方的生长区。
在这里，它们发生热分解，分解出金属原子并沉积到基底上。
这样就形成了一层薄薄的单晶材料。
这一过程具有高度可控性，可对沉积层的成分、掺杂水平和厚度进行精确调整。
3.优势和应用
与其他外延生长技术相比，MOCVD 具有多项优势。
它可以快速改变成分和掺杂浓度，这对生长异质结构、超晶格和量子阱材料至关重要。
这种能力对于制造 LED、太阳能电池和半导体激光器等先进电子设备至关重要。
该技术还具有可扩展性，可用于高产能制造，因此成为半导体行业的首选方法。
4.精度和控制
MOCVD 在工业应用中的成功得益于其对沉积过程的高精度控制。
这包括对反应腔内气体流速、温度和压力的精确控制。
先进的仪器和闭环控制系统用于确保可重复性和高产率，这对大规模生产高质量半导体器件至关重要。
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