MOCVD（金属有机化学气相沉积）的一个例子是在气相外延工艺中使用有机金属化合物作为前驱体来生长化合物半导体。该技术涉及使用 III 族和 II 族元素的有机化合物，以及 V 族和 VI 族元素的氢化物，通过气相热分解在基底上沉积单晶层。
详细说明：
-
前驱体材料和工艺设置：
-
在 MOCVD 中，前驱体通常是有机金属化合物，如用于 III 族元素的三甲基铟 (TMI) 和用于 V 族元素的砷化氢 (AsH3)。这些前驱体在载气（通常为氢气）中气化，然后引入反应室。反应室通常是在大气压或低压（10-100 托）下运行的冷壁石英或不锈钢装置。基底置于加热的石墨基座之上，温度保持在 500 至 1200°C 之间。外延生长：
-
气化的前驱体被载气带到加热基底上方的生长区。在这里，它们会发生热分解，在这一过程中，有机金属化合物会分解并将其金属原子沉积到基底上。这样就形成了一层薄薄的单晶材料。这一过程具有高度可控性，可对沉积层的成分、掺杂水平和厚度进行精确调整。
-
优势和应用：
与其他外延生长技术相比，MOCVD 具有多项优势。它可以快速改变成分和掺杂浓度，这对于生长异质结构、超晶格和量子阱材料至关重要。这种能力对于制造 LED、太阳能电池和半导体激光器等先进电子设备至关重要。该技术还具有可扩展性，可用于高产能制造，因此成为半导体行业的首选方法。
精度和控制：
