在半导体制造中，沉积是将材料薄层添加到硅晶圆上的基础工艺。这些层是基本构建块——绝缘体、导体和半导体——通过图案化和刻蚀形成微芯片复杂的三维结构。
沉积不是单一行为，而是一系列高度受控的技术，用于逐层构建芯片。技术选择是一个关键的工程决策，需要在制造过程的每个特定步骤中平衡速度、精度和材料特性。
沉积的目的：从原子层面构建微芯片
沉积是半导体制造重复循环中的核心步骤。工程师们反复沉积一层，使用光刻技术对其进行图案化，然后刻蚀掉不需要的材料以形成电路。
从绝缘体到导体
沉积用于添加功能晶体管所需的所有类型材料。这包括用于绝缘导线之间的介电薄膜，形成导线和互连的导电金属薄膜，以及形成晶体管沟道的晶体半导体薄膜。
创建原子级精确结构
沉积的层非常薄，通常以埃或纳米为单位衡量——有时只有几个原子厚。沉积过程的质量直接影响芯片的最终性能、功耗和可靠性。
关键沉积方法及其作用
根据沉积材料和薄膜所需的特性（例如其厚度均匀性和对复杂、非平面表面的覆盖能力），使用不同的方法。
化学气相沉积 (CVD)
CVD是行业的主力。它涉及将前驱气体流入腔室，气体在热晶圆表面发生反应，留下固态薄膜。“气相”指的是这些气态化学前驱物。
聚焦 MOCVD
CVD的一个专业且重要的子集是金属有机化学气相沉积 (MOCVD)。它使用金属有机化合物作为前驱物，对于制造LED和高功率晶体管等器件所需的高质量、复杂半导体材料至关重要。
MOCVD因其在高产量生产中实现高精度和材料灵活性的能力而受到重视，使其成为先进芯片设计的成本效益方法。
物理气相沉积 (PVD)
与CVD的化学反应不同，PVD方法将材料物理转移到晶圆上。一种常用技术是溅射，其中由所需材料制成的靶材受到离子轰击，将原子击落，然后这些原子落在晶圆上并形成涂层。
原子层沉积 (ALD)
ALD是目前最精确的方法。它通过将晶圆暴露于顺序的、自限性化学反应来构建材料，每次沉积一个原子层。这种无与伦比的控制对于在现代尖端晶体管中创建栅氧化物和其他超薄薄膜至关重要。
理解权衡
没有一种沉积方法适用于所有应用。选择总是涉及平衡相互竞争的因素。
速度与精度
层的生长速度和控制精度之间存在直接的权衡。CVD等工艺通常比ALD快得多，吞吐量更高，而ALD由于其逐层性质，本质上较慢。
共形覆盖
共形性是指薄膜在复杂三维形貌上均匀覆盖的能力。ALD提供近乎完美的共形性，这对于现代FinFET晶体管中深沟槽和复杂形状的衬里至关重要。CVD具有良好的共形性，而PVD是视线工艺，难以均匀覆盖垂直侧壁。
成本和复杂性
这些工艺所需的设备在成本和复杂性方面差异巨大。ALD和MOCVD系统高度复杂且昂贵，仅在需要最高精度或特定材料特性时才合理。PVD和标准CVD系统对于不那么关键的层可能更具成本效益。
为您的目标做出正确选择
沉积技术的选择取决于所构建层的具体要求。
- 如果您的主要重点是标准绝缘或金属层的大批量制造：化学气相沉积 (CVD) 和物理气相沉积 (PVD) 通常能在速度、成本和质量之间提供最佳平衡。
- 如果您的主要重点是制造高性能化合物半导体，如GaN或GaAs：金属有机CVD (MOCVD) 是行业标准，因其精度和控制复杂材料组成的能力。
- 如果您的主要重点是构建具有埃级精度的尖端逻辑晶体管：原子层沉积 (ALD) 因其无与伦比的厚度控制和共形覆盖复杂3D结构的能力而至关重要。
最终，掌握沉积技术在于选择合适的工具，精确构建半导体器件的每个特定层。
摘要表：
| 方法 | 全称 | 主要特点 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| CVD | 化学气相沉积 | 气体在晶圆表面发生化学反应 | 标准层的大批量制造 |
| MOCVD | 金属有机化学气相沉积 | 使用金属有机前驱物制造复杂材料 | LED、高功率晶体管（GaN、GaAs） |
| PVD | 物理气相沉积 | 材料的物理转移（例如溅射） | 导电金属层 |
| ALD | 原子层沉积 | 每次沉积一个原子层 | 用于先进晶体管的超薄、精密薄膜 |
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