PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是一种低温真空薄膜沉积工艺，利用等离子体激活和破碎前驱气体，从而在固体基底上沉积薄膜涂层。这种技术在半导体行业尤为重要，因为它能够在无法承受传统 CVD（化学气相沉积）工艺所需的高温的表面上进行镀膜。
工艺概述：
在 PECVD 过程中，前驱气体被引入沉积室，并在其中受到等离子体的作用。由放电产生的等离子体将前驱体分子电离并破碎成活性物质。然后，这些活性物质沉积到基底上，形成薄膜。PECVD 工艺的温度通常保持在 200°C 以下，因此可以对塑料和低熔点金属等对温度敏感的材料进行涂层处理。优势和应用：
PECVD 的主要优势之一是能够通过选择具有特定特性的前驱体来定制涂层的特性。这种定制在各种应用中都至关重要，包括制造坚硬的类金刚石碳 (DLC) 涂层，这种涂层以其优异的耐磨性和低摩擦系数而著称。PECVD 还可用于电子行业，在比传统 CVD 更低的温度下沉积绝缘体、半导体和导体，从而保持基底材料的完整性。
与传统 CVD 的比较：
传统 CVD 依赖热量来驱动化学反应，而 PECVD 则不同，它利用等离子体来启动和维持这些反应。这种活化机制上的差异使 PECVD 能够在更低的温度下运行，从而扩大了适用基材的范围，增强了涂层工艺的多功能性。
技术细节：
