等离子体辅助沉积技术包括使用等离子体来促进薄膜在基底上的沉积。
与化学气相沉积 (CVD) 等传统方法相比，这种方法能够在较低温度下沉积材料，因此特别有用。
这里讨论的主要技术是等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，它利用等离子体给反应气体通电，从而在基底上形成薄膜。
4 个要点说明
1.等离子体的产生
等离子体是通过电离气体产生的，通常使用射频（RF）电流或高能电子激活交流（AC）或直流（DC）放电。
这种电离过程会产生等离子状态，其中大多数原子或分子都会被电离，从而提供一个高能环境。
2.2. PECVD 工艺
PECVD 工艺在真空条件（<0.1 托）和相对较低的基底温度（从室温到 350°C）下进行。
该工艺中等离子体的使用为化学反应的发生提供了必要的能量，从而降低了对高基底温度的需求。
这种低温操作有利于减少薄膜界面上的应力，使粘合更牢固。
3.PECVD 的优点
更低的沉积温度： 通过使用等离子体驱动沉积反应，PECVD 可在比传统 CVD 更低的温度下运行，这对温度敏感的基底至关重要。
良好的一致性和台阶覆盖率： PECVD 在不平整的表面上具有良好的一致性和阶跃覆盖性，因此适用于复杂的几何形状。
更严格的薄膜工艺控制： 使用等离子体可精确控制沉积过程，从而获得高质量的薄膜。
高沉积速率： PECVD 可实现较高的沉积速率，从而提高涂层工艺的效率。
4.应用和材料
PECVD 可用于沉积各种材料，包括金属、氧化物、氮化物和聚合物。
这些涂层用于改善材料的耐磨性、抗氧化性、硬度和使用寿命等性能。
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