知识 什么是射频和直流溅射?4 大关键区别解析
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技术团队 · Kintek Solution

更新于 2个月前

什么是射频和直流溅射?4 大关键区别解析

射频溅射是一种用于制造薄膜的技术,主要用于计算机和半导体行业。

它使用射频(RF)能量电离惰性气体。

这将产生正离子,撞击目标材料,使其分解成细小的喷雾,覆盖在基底上。

该工艺与直流溅射在几个关键方面有所不同。

什么是射频和直流溅射?4 个主要区别说明

什么是射频和直流溅射?4 大关键区别解析

1.电压要求

与直流溅射相比,射频溅射需要更高的电压(1,012 伏或更高),直流溅射的工作电压通常在 2,000-5,000 伏之间。

之所以需要较高的电压,是因为射频溅射利用动能从气体原子中去除电子。

相比之下,直流溅射则是通过电子直接轰击离子。

2.系统压力

与直流溅射(100 mTorr)相比,射频溅射的腔室压力较低(低于 15 mTorr)。

较低的压力可减少带电等离子体粒子与目标材料之间的碰撞。

它提高了溅射过程的效率。

3.沉积模式和靶材

射频溅射特别适用于非导电或电介质目标材料。

在直流溅射中,这些材料会积聚电荷并排斥进一步的离子轰击,从而可能导致过程停止。

射频溅射中的交流电有助于中和靶材上的电荷积聚。

这样就可以持续溅射非导电材料。

4.频率和操作

射频溅射使用 1MHz 或更高的频率。

在溅射过程中,必须使用该频率对靶材进行电放电。

它允许有效使用交流电。

在一个半周期内,电子中和靶材表面的正离子。

在另一个半周期中,溅射出的靶原子沉积在基底上。

总之,射频溅射是一种多功能、有效的薄膜沉积方法,尤其适用于非导电材料。

与直流溅射相比,它利用更高的电压、更低的系统压力和交流电来更有效地管理电离和沉积过程。

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