碳化硅（SiC）的化学气相沉积（CVD）是一种用于合成高质量碳化硅晶体的工艺，主要用于电子产品制造。这种方法涉及高温化学气相沉积 (HTCVD)，工作温度为 2000°C 至 2300°C。在此过程中，反应气体混合物被引入一个封闭的反应器，在反应器中分解并在基底材料表面发生反应，形成一层固态 SiC 晶体薄膜。随着反应气体的持续供应，固态产物从基底表面被清除，这层薄膜会继续生长。
详细说明：
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反应器设置和温度控制：
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用于碳化硅沉积的 HTCVD 工艺在封闭的反应器中进行，反应器从外部加热，以保持相关化学反应所需的高温。这些温度通常在 2000°C 至 2300°C 之间，以确保反应气体有效分解并与基底发生反应。化学反应和气体混合物：
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工艺中使用的反应气体通常是挥发性硅和碳化合物的混合物。到达反应器的高温环境后，这些气体会分解并在基质表面发生反应。混合气体的确切成分和具体反应可能会有所不同，但总体目标是在基底上沉积一层碳化硅。
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薄膜生长和机理：
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随着反应气体的分解和反应，它们会在基底上形成一层固态 SiC 薄膜。随着更多气体的引入和反应，薄膜一层一层地生长。不再需要的固体产物会从基底表面脱离并移走，从而使 SiC 薄膜不断生长。应用和优势：
CVD 生成的碳化硅具有低电阻的显著特点，是一种理想的导电体。这一特性在制造精密零件时特别有用，可以利用放电加工（EDM）等技术制造精细特征和高纵横比孔。此外，CVD 还能生长出具有可控掺杂的单晶 SiC 薄膜，从而提高其在电子产品制造中的实用性。
