化学气相沉积（CVD）是一种通过化学反应从气相沉积薄膜材料的工艺。这种方法可用于制造各种薄膜，包括半导体、绝缘体、金属和有机物，它们对于制造微电子和光电设备以及各种涂层至关重要。生产的薄膜可以是外延、多晶或无定形的，沉积可以是选择性或非选择性的，涉及同向或异向外延。
工艺步骤：
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蒸发前驱体化合物： 第一步是蒸发待沉积材料的挥发性化合物。这种化合物通常是气体或蒸汽，被引入沉积室。
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热分解和化学反应： 蒸汽经过热分解变成原子和分子，或与基底表面的其他气体、蒸汽或液体发生反应。这一步骤需要特定的条件，包括高温（约 1000°C）和从几托到高于大气压的压力。
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在基底上沉积： 然后将上一步中的非挥发性反应产物沉积到基底上，形成一层薄膜。薄膜的特性（如成分、厚度和微观结构）对其特定应用性能至关重要。
分类和应用：
CVD 有别于物理气相沉积（PVD）方法，后者涉及溅射、蒸发或升华等物理过程，没有化学反应。CVD 和 PVD 的目标都是沉积具有可控和可重现特性的薄膜，这些特性可以是化学、机械、电气或光学特性。
CVD 尤其以其精确性和可控性而著称，可以制造出具有非常具体的特征和特性的薄膜。它广泛应用于半导体制造、薄膜太阳能电池以及工具和其他工业产品涂层的生产。该工艺可适应各种化学成分和前驱体，因此可用于不同的应用领域和未来的技术进步。
