化学气相沉积（CVD）的原理是利用气态或气态物质在气相或气固界面发生反应，从而在基底上形成固态沉积物。这一工艺对于生产高质量的薄膜和涂层至关重要。
详细解释：
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反应机理：
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在 CVD 过程中，挥发性前驱体被输送到反应室中，在加热的基底表面上发生分解或反应。这种反应导致固体薄膜的沉积，同时产生副产品并从反应室中释放出来。涉及的反应类型包括热分解、化学合成和化学传输反应。工艺阶段：
- CVD 工艺通常包括三个主要阶段：
- 扩散和吸附： 反应气体扩散到基底表面并被吸附。这一步骤可确保反应物与基底直接接触，从而促进后续的化学反应。
- 化学反应： 被吸附的气体在基底表面发生化学反应，形成固体沉积物。这种反应对沉积薄膜的质量和性能至关重要。
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副产品的释放：
- 反应的副产物以及任何未反应的前体都会从基底表面释放出来，从而完成沉积循环。特点和优势：
- 沉积物的多样性： CVD 可沉积多种材料，包括金属、非金属、合金和陶瓷。这种多功能性使其适用于电子、光学和材料科学领域的各种应用。
- 均匀涂层： 该工艺可在常压或低真空条件下进行，从而可在形状复杂的表面甚至工件上的深孔或细孔上进行均匀镀膜。
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高质量涂层： CVD 生产的涂层纯度高、致密性好、残余应力低、结晶度好。这些特性对沉积薄膜的性能和耐用性至关重要。
操作参数：
