晶圆沉积是半导体制造中的一项关键工艺。它涉及创建薄层材料，主要是电介质和金属，这些材料对构建半导体器件至关重要。
这一工艺对于在集成电路中形成复杂的结构（包括互连、绝缘层和各种电气元件）至关重要。
沉积技术因材料和制造设备的具体要求而异。
沉积工艺的 5 个关键步骤
1.制备晶片
将晶片放在沉积室中的电极上。
这种设置可确保晶片处于最佳位置，以均匀地接收沉积材料。
2.引入反应气体
反应气体和沉积元素被引入沉积室。
这些气体可包括用于氧化硅或氮化物层的含硅化合物，或用于金属层的含金属化合物。
气体的选择取决于薄膜所需的化学特性。
3.等离子体的形成
施加电压在电极之间形成等离子体，激发反应气体。
这种等离子体至关重要，因为它提供了将活性气体解离成活性物种所需的能量。
通常采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）等技术来控制等离子体的特性，确保高效解离。
4.薄膜形成
受激气体解离后与晶片表面发生反应，形成薄膜。
这种反应受到控制，以确保薄膜达到所需的厚度和均匀性。
反应的副产品不属于薄膜的一部分，通常通过扩散或主动泵将其排出腔室。
5.其他步骤和注意事项
沉积后，薄膜可能会经过退火或其他热处理，以改善其特性，如附着力、电阻率或稳定性。
对沉积薄膜的特性进行分析，以确保其符合半导体器件的规格要求。
通过分析可以调整沉积工艺，优化性能。
沉积技术
化学气相沉积（CVD）及其变体（如 PECVD 和 HDP-CVD）用于沉积电介质材料。
物理气相沉积 (PVD) 用于金属和某些电介质。
原子层沉积 (ALD) 用于制造高度保形和精确的薄膜。
通过在受控环境中精确沉积材料，这些工艺共同实现了复杂半导体器件的制造。
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