硅沉积工艺是指通过物理或化学方法，在硅或玻璃等基底上形成薄薄的硅层。使用的主要技术是物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。这些层的厚度从几纳米到几微米不等。
用于硅沉积的化学气相沉积 (CVD)：
化学气相沉积是一种广泛使用的硅层沉积方法。它涉及硅烷（SiH4）的热解或热分解，从而在基底上沉积出以氢气为废气的固体硅。该工艺通常在热壁低压化学气相沉积（LPCVD）炉中进行。工程师通常会用氢气载气稀释硅烷，以抑制硅烷的气相分解，因为气相分解会导致硅颗粒掉落到生长的薄膜上，从而使薄膜变得粗糙。多晶硅的沉积：
多晶硅的电阻率比相同掺杂水平下的单晶硅要高。电阻率较高的原因是掺杂剂沿晶界分离，减少了晶粒内掺杂原子的数量，而且晶界中的缺陷降低了载流子的迁移率。晶界中还含有许多悬空键，可捕获自由载流子。
氮化硅 (SiNH) 沉积的替代反应：
在等离子体中，氮化硅可通过涉及硅烷（SiH4）和氮气（N2）或氨气（NH3）的两种反应沉积。这些薄膜的拉伸应力较低，但在电阻率和介电强度方面的电气性能较差。CVD 中的金属沉积：
CVD 还可用于沉积钨、铝和铜等金属，这些金属对半导体器件中导电触点和插头的形成至关重要。例如，钨沉积可通过不同的反应使用六氟化钨（WF6）来实现。钼、钽、钛和镍等其他金属也可使用 CVD 沉积，在沉积到硅上时通常会形成有用的硅化物。
二氧化硅沉积：
