CVD 石墨烯的薄层电阻因多种因素而异。
这些因素包括层数和特定的合成条件。
对于单层未掺杂石墨烯，其薄层电阻约为 6 kΩ。
透明度为 98%。
然而，当在铜基底上使用化学气相沉积法合成石墨烯时，其薄层电阻可低至 350 Ω/sq。
这是在透明度为 90% 的情况下。
透明度/薄片电阻比的提高表明了用于透明导电薄膜的 CVD 石墨烯技术的进步。
随着石墨烯层数的增加，薄层电阻通常会降低。
不过，如果各层石墨烯的行为是独立的，则理论上它会保持不变。
关于 CVD 石墨烯薄层电阻的 4 个重要见解
1.单层未掺杂石墨烯
参考文献指出，未掺杂单层石墨烯的薄层电阻约为 6 kΩ。
这种高电阻是由单层石墨烯的固有特性造成的。
尽管石墨烯具有出色的导电性，但在用作透明电极时却表现出更高的电阻。
这是由于石墨烯的原子厚度较薄且缺乏掺杂。
2.铜基底上的 CVD 石墨烯
在铜基底上通过 CVD 生长石墨烯时，其薄层电阻会显著降低到 350 Ω/sq。
这种降低归功于优化的生长条件和使用了更有利于石墨烯形成的基底。
在这一较低电阻条件下保持 90% 的透明度是一项重大改进。
这使其适用于同时要求导电性和透明度的应用，如显示器和太阳能电池。
3.层的影响
石墨烯的薄层电阻会随着层数的增加而降低。
这是因为每增加一层就会提供更多的导电路径，从而降低整体电阻。
从理论上讲，如果各层是独立的（即它们之间没有明显的相互作用），那么无论层数多少，薄层电阻都应保持不变。
然而，在实际应用中，层与层之间的相互作用以及其他因素都会影响这种行为。
4.CVD 石墨烯的多功能性
总之，CVD 石墨烯的薄层电阻可以通过层数和合成条件来定制。
其值范围从单层未掺杂石墨烯的 6 kΩ 到铜基底上 CVD 石墨烯的 350 Ω/sq。
这种可变性使 CVD 石墨烯成为可用于各种电子和光电应用的多功能材料。
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