溅射的目标基片距离是影响薄膜沉积均匀性和质量的关键参数。
最佳距离因特定溅射系统和所需薄膜特性而异。
一般来说，共焦溅射的理想距离约为 4 英寸（约 100 毫米），以平衡沉积速率和均匀性。
溅射的目标基片距离是多少？(需要考虑的 4 个关键因素）
1.均匀性和沉积速率
在共焦溅射中，阴极（靶）和基片（米）之间的距离对薄膜的沉积速率和均匀性有很大影响。
距离越短，沉积率越高，但不均匀度也越高。
相反，较长的距离可提高均匀性，但代价是降低沉积速率。
选择大约 4 英寸（100 毫米）的理想距离就是为了平衡这些竞争因素。
2.系统配置
溅射系统的配置也决定了最佳的靶-基片距离。
对于直接溅射系统，即基片直接位于靶材前方，靶材直径应比基片大 20% 至 30%，以实现合理的均匀性。
这种设置对于需要高沉积速率或处理大型基底的应用尤为重要。
3.溅射参数
靶-基片距离与气体压力、靶功率密度和基片温度等其他溅射参数相互影响。
必须对这些参数进行优化，才能获得理想的薄膜质量。
例如，气体压力会影响电离水平和等离子密度，进而影响溅射原子的能量和沉积的均匀性。
4.实验观察
根据所提供的参考资料，当基底向靶移动，距离从 30 毫米变为 80 毫米时，均匀长度的百分比会下降。
这表明薄膜的厚度会随着目标-基底距离的减小而增加。
这一观察结果证明，要保持薄膜沉积的均匀性，就必须仔细控制靶材与基底的距离。
总之，溅射中的靶-基片距离是一个关键参数，必须仔细控制，以确保所需的薄膜均匀性和质量。
根据溅射系统和应用的具体要求，在平衡沉积速率和薄膜均匀性的基础上，选择最佳距离，通常为 100 毫米左右。
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