溅射的目标基片距离是影响薄膜沉积均匀性和质量的关键参数。最佳距离因具体的溅射系统和所需的薄膜特性而异，但一般认为，约 4 英寸（约 100 毫米）的距离是共聚焦溅射的理想距离，以平衡沉积速率和均匀性。
说明：
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均匀性和沉积速率:在共焦溅射中，阴极（靶）和基片（米）之间的距离对薄膜的沉积速率和均匀性有很大影响。距离越短，沉积率越高，但不均匀度也越高。相反，较长的距离可提高均匀性，但代价是降低沉积速率。选择大约 4 英寸（100 毫米）的理想距离就是为了平衡这些竞争因素。
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系统配置:溅射系统的配置也决定了目标与基片的最佳距离。对于直接溅射系统，即基片直接位于靶材前方，靶材直径应比基片大 20% 至 30%，以实现合理的均匀性。这种设置在需要高沉积速率或处理大型基片的应用中尤为重要。
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溅射参数:靶-基片距离与其他溅射参数（如气体压力、靶功率密度和基片温度）相互影响。必须对这些参数进行优化，才能获得理想的薄膜质量。例如，气体压力会影响电离水平和等离子体密度，进而影响溅射原子的能量和沉积的均匀性。
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实验观察:从提供的参考资料来看，当基片向靶移动，距离从 30 毫米变为 80 毫米时，均匀长度的百分比会下降，这表明薄膜的厚度会随着靶-基片距离的减小而增加。这一观察结果表明，需要仔细控制靶-基底的距离，以保持均匀的薄膜沉积。
总之，溅射中的靶-基片距离是一个关键参数，必须仔细控制，以确保所需的薄膜均匀性和质量。根据溅射系统和应用的具体要求，在平衡沉积速率和薄膜均匀性的基础上，选择最佳距离（通常为 100 毫米左右）。
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