PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的工作温度通常在室温至 350°C 之间。
与标准 CVD 工艺（工作温度在 600°C 至 800°C 之间）相比，PECVD 的温度范围较低，这对于高温可能会损坏设备或涂层基底的应用至关重要。
4 个要点说明
1.温度范围更低
PECVD 的工作温度明显低于传统 CVD。
通常从室温（约 20-25°C ）到 350°C。
这一温度范围至关重要，因为它允许在可能无法承受标准 CVD 工艺较高温度的基底上沉积薄膜。
例如，某些材料或设备在高温下可能会降解或失去其特性。
2.降低基底应力
通过在较低温度下操作，PECVD 可将薄膜与基底之间的热应力降至最低。
当薄膜和基底的热膨胀系数不同时，这一点尤为重要。
较低的应力可提高涂层设备的附着力和整体性能。
3.等离子体的使用
在 PECVD 中，等离子体被用来提供发生化学反应所需的能量，而不是仅仅依靠热能。
等离子体的活化作用可使反应在较低的基底温度下进行。
由高频射频电源产生的等离子体可激活前驱气体，促进化学反应，从而在基底上形成薄膜。
这种能量提供方法可减少基底上的总体热负荷，从而降低工作温度。
4.应用和局限性
PECVD 特别适用于在 200 至 400°C 的温度下沉积薄膜的纳米制造。
在需要较低温度加工时，它比其他方法（如 LPCVD（低压化学气相沉积）或硅的热氧化）更受欢迎。
虽然 PECVD 薄膜在蚀刻率、氢含量和针孔方面的质量可能较低，但其沉积率较高，适用于热敏感性要求较高的各种材料和应用。
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