PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺是一种用于在基底上将薄膜从气态沉积为固态的技术。
该工艺使用等离子体激活源气体或蒸汽，与传统的化学气相沉积工艺相比，可在更低的温度下沉积涂层。
这使其适用于更广泛的基材，包括低熔点材料，在某些情况下甚至包括塑料。
PECVD 工艺如何工作？5 个关键步骤说明
1.引入前驱体混合气体
PECVD 工艺首先将前驱体混合气体引入反应器。
2.生成等离子体
利用 13.56 MHz 的射频能量产生等离子体，点燃并维持两个平行电极之间的辉光放电。
该等离子体通过碰撞产生活性高能物种。
3.扩散和吸附
这些活性物质通过鞘扩散并吸附到基底表面，在那里它们相互作用并形成一层材料。
4.反应和沉积
等离子体的能量，而不仅仅是热能，驱动着激发物种和基底之间的反应，使得薄膜可以在较低的温度下沉积，同时仍能达到所需的薄膜特性。
5.在半导体工业中的应用
总之，PECVD 工艺是一种低温真空薄膜沉积技术，它利用等离子体激活源气体，在各种基底上沉积涂层。
这种方法尤其适用于半导体行业，因为它可以在无法承受传统 CVD 工艺温度的表面上沉积涂层。
继续探索，咨询我们的专家
KINTEK SOLUTION 的尖端 PECVD 系统将为您的薄膜应用打开新的局面！
我们先进的等离子体增强型化学气相沉积技术具有无与伦比的精度、效率和灵活性，可在从精密塑料到坚固半导体等各种基底上进行低温薄膜沉积。
通过 KINTEK SOLUTION 发掘 PECVD 创新的力量，提升您的材料科学能力。
立即联系我们，了解我们的设备如何改变您的下一个项目！
