PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺是一种用于在基底上将薄膜从气态沉积为固态的技术。该工艺使用等离子体激活源气体或蒸汽，与传统的 CVD 工艺相比，可在较低温度下沉积涂层。这就使其适用于更广泛的基底，包括低熔点材料，甚至在某些情况下适用于塑料。
PECVD 工艺首先将前驱气体混合物引入反应器。然后利用 13.56 MHz 的射频能量产生等离子体，点燃并维持两个平行电极之间的辉光放电。等离子体通过碰撞产生活性高能物质。
这些活性物质通过鞘扩散并吸附到基底表面，在那里它们相互作用并形成一层材料。等离子体的能量（而不仅仅是热能）推动了受激物质与基底之间的反应，从而可以在较低的温度下沉积薄膜，同时还能获得所需的薄膜特性。
总之，PECVD 工艺是一种低温真空薄膜沉积技术，它利用等离子体激活源气体，在各种基底上沉积涂层。这种方法尤其适用于半导体行业，因为它可以在无法承受传统 CVD 工艺温度的表面上沉积涂层。
KINTEK SOLUTION 的尖端 PECVD 系统将为您的薄膜应用打开新的局面！我们先进的等离子体增强化学气相沉积技术具有无与伦比的精度、效率和灵活性，可在从精致的塑料到坚固的半导体等各种基材上进行低温薄膜沉积。通过 KINTEK SOLUTION 发掘 PECVD 创新的力量，提升您的材料科学能力。立即联系我们，了解我们的设备如何改变您的下一个项目！
