PECVD 是利用等离子体沉积硅及相关化合物、氮化硅、非晶硅和微晶硅等材料的薄膜。该工艺利用 13.56 MHz 射频电源产生的电容耦合等离子体，在比传统 CVD 更低的温度下激活沉积所需的化学反应。
PECVD 使用的材料：
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硅及相关化合物： PECVD 广泛用于沉积硅基材料，包括非晶硅和微晶硅。这些材料对于太阳能电池和半导体器件等应用至关重要。
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氮化硅： 这种材料因其出色的绝缘性能而常用于 PECVD 沉积，在半导体制造中用于钝化层和绝缘薄膜。
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其他材料： PECVD 技术还可沉积其他材料，如用于耐磨损的碳化钛和用于阻隔膜的氧化铝。这些材料可提高所应用部件的耐用性和功能性。
工艺详情：
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等离子活化： 在 PECVD 中，等离子体是通过对气体混合物施加射频能量产生的，通常是在带有两个平行电极的反应室中。等离子体包含高能电子，电子与气体分子碰撞，产生离子和自由基等活性物质。
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反应和沉积： 然后，这些反应物扩散到基底表面，在那里发生化学反应，形成所需的薄膜。使用等离子体可使这些反应在较低的基底温度下发生，有利于保持对温度敏感的基底的完整性。
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控制和均匀性： PECVD 能很好地控制沉积薄膜的厚度和均匀性，这对最终产品的性能至关重要。这可以通过仔细控制等离子参数和前驱气体流量来实现。
应用：
PECVD 广泛应用于各行各业，如半导体制造、太阳能电池生产以及在玻璃、硅、石英和不锈钢等各种基底上沉积功能涂层。PECVD 能够在低温下沉积高质量的薄膜，因此成为现代技术应用中一种多用途、高效率的技术。
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