DLC 涂层的典型沉积温度低于 200°C。具体来说，HEF 的特定沉积技术可以在 170°C 左右的温度下沉积 DLC 涂层。DLC 薄膜可以使用射频等离子体辅助化学气相沉积（RF PECVD）方法沉积，这种方法可以沉积出具有多种光学和电学特性的碳薄膜。这种薄膜对许多基底都有良好的附着力，而且可以在相对较低的温度下沉积。然而，高含量 sp3 碳薄膜（即多晶金刚石）通常是通过高温化学气相沉积（CVD）工艺生产的。不同形式的类金刚石碳膜（DLC）可以在更低的温度（约 300°C ）下沉积，并通过适当的粘合层获得较高的粘合强度。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）也可用于生产类金刚石碳涂层，这种涂层坚硬、抗划伤，并具有良好的阻隔性能。等离子体增强化学气相沉积具有温度低、化学性质稳定、有毒副产品少、加工时间短和沉积速率高等优点。总之，DLC 涂层可以在不同的温度下沉积，具体取决于特定的沉积方法和所需的性能。
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