等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是半导体行业的一项关键工艺。它是利用等离子体促进化学反应，在基底上沉积薄膜。PECVD 最重要的一个方面是其工作温度。
4 个要点说明
1.PECVD 的温度范围
PECVD 工艺的典型工作温度范围为 100 至 600 °C。这是基底在沉积过程中保持的温度。一个资料来源提供的具体技术规格表明，工艺温度≤540 ℃，属于这个较宽的范围。
2.与标准 CVD 的比较
标准 CVD 工艺的工作温度通常要高得多，在 600°C 至 800°C 之间。PECVD 工艺的优势在于温度较低，可防止器件或基底受到潜在损坏，特别是在对热敏感的应用中。
3.等离子体特性
在 PECVD 中，等离子体用于激活反应气体，促进薄膜沉积所需的化学反应。由于存在高能电子，等离子体本身的电子温度非常高，从 23000 K 到 92800 K 不等。不过，等离子体中的离子温度相对较低，约为 500 K，因为重离子不会从电场中获得大量能量。
4.运行压力
PECVD 系统通常在低压下运行，通常在 0.1-10 托的范围内。这种低压有助于减少散射和促进沉积过程的均匀性。低压和低温条件对于最大限度地减少对基底的损坏和确保高质量地沉积各种材料至关重要。
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