在Pvd方法中，产生等离子体需要哪种类型的气体？Pvd工艺气体必备指南

在大多数物理气相沉积（PVD）工艺中，产生和维持等离子体所需的主要气体是惰性稀有气体，其中氩气（Ar）是行业标准。 尽管氩气对于物理溅射机制至关重要，但通常会故意引入其他反应性气体，如氮气或氧气，目的不是产生等离子体，而是为了在基板表面上化学形成所需的涂层。

PVD中气体的选择是一种双组分策略。惰性气体对于产生等离子体和物理性地剥离源材料是不可或缺的，而反应性气体是合成陶瓷等复合薄膜的可选但关键的成分。

PVD中气体的基本作用

要理解为什么选择特定的气体，我们必须首先分解它们在PVD真空室中的两个不同功能：产生等离子体和剥离涂层材料。

等离子体通常被称为物质的第四态。它是一种含有自由移动的离子和电子的过热电离气体。

要产生这种状态，需要向真空室中引入低压气体。然后施加一个强电场，该电场使气体原子能量化并剥离它们的电子，从而产生构成等离子体的带正电的离子和自由电子。

在最常见的PVD方法之一——溅射中，等离子体充当高能射弹的来源。重的、带正电的气体离子（如氩气）被电场加速并导向源材料，即靶材。

可以将其视为原子级的喷砂机。这些离子以足够的力撞击靶材，从而将靶材原子“溅射”出来。这些被溅射的原子随后穿过腔室并沉积到您的工件上，形成薄膜。

氩气是PVD行业的支柱，原因有几个关键点：

虽然氩气负责工艺的物理部分，但反应性气体负责化学部分。这个过程被称为反应性溅射，用于制造坚硬、耐磨的复合薄膜。

如果您仅用氩气溅射钛（Ti）靶材，您将沉积纯钛膜。但是，要制造常见的、金色的、坚硬的氮化钛（TiN）涂层，则需要第二种气体。

在这种情况下，将受控量的氮气（N₂）与氩气一起引入腔室。从靶材溅射出的钛原子与等离子体和基板表面的氮发生反应，形成TiN复合膜。

这一原理适用于各种材料，从而可以合成高度工程化的表面。

气体选择和控制对PVD涂层的成功至关重要，必须仔细管理几个因素。

工艺气体中任何意外的杂质——例如水蒸气或真空不良残留的空气——都可能被掺入正在生长的薄膜中。这种污染会严重损害涂层的附着力、结构和性能。

腔室中气体的量（压力）是一个微妙的平衡。气体太少，等离子体可能不稳定或太弱而无法有效溅射。气体太多，溅射出的原子将过于频繁地与气体原子碰撞，使其分散，阻止它们到达基板，从而扼杀沉积速率。

对于溅射非常重的靶材（如金（Au）或铂（Pt）），氩气可能效率较低。在这些情况下，像氪气（Kr）或氙气（Xe）这样的较重惰性气体可以提供更高的溅射率。权衡是显著的，因为这些气体的成本远高于氩气。

您选择的气体完全取决于您打算创建的最终薄膜。

如果您的主要重点是沉积纯金属薄膜（例如铝、铜、钛）： 您的唯一要求是高纯度惰性气体，在几乎所有情况下都将是氩气。
如果您的主要重点是制造坚硬的陶瓷或复合涂层（例如TiN、Al₂O₃、DLC）： 您将需要一个双气体系统：高纯度氩气用于运行溅射过程，以及一种特定的高纯度反应性气体用于形成所需的化合物。
如果您的主要重点是最大化对非常重的靶材元素的溅射效率： 您可能需要评估使用比氩气更昂贵、更重的惰性气体（如氪气或氙气）的成本效益。

归根结底，选择正确的气体是关于控制沉积的物理机制和薄膜的最终化学成分。

气体类型	主要功能	常见示例	所得涂层/效果
惰性气体	产生等离子体和溅射靶材	氩气 (Ar), 氪气 (Kr)	纯金属薄膜（例如Ti, Al）
反应性气体	化学反应形成化合物	氮气 (N₂), 氧气 (O₂)	陶瓷薄膜（例如TiN, Al₂O₃）