低压化学气相沉积（LPCVD）在低压下进行，主要是为了实现更均匀的沉积速率，并且与常压化学气相沉积相比，可以在更低的温度下进行反应。
这对于在熔化温度较低的材料上沉积层以及降低基底热降解的风险尤为有利。
4 低压 CVD 的主要优点
1.更低的反应温度
与传统 CVD 相比，低压化学气相沉积可在更低的温度下发生化学反应。
这在处理无法承受高温的基底或先前沉积层时至关重要。
例如，铝等材料的熔点较低，会因标准 CVD 工艺所需的高温而受损。
通过降低压力，可以减少反应的活化能，使工艺在较低温度下进行，而不会影响薄膜的质量。
2.均匀的沉积速率
在低压下，气体分子的平均自由路径显著增加。
这意味着气体分子在不与其他分子发生碰撞的情况下可移动更长的距离，从而使反应物在基底表面的分布更加均匀。
因此，沉积速率会变得更加均匀，从而产生质量更好、缺陷更少的薄膜。
在要求薄膜厚度精确一致的应用中，这种均匀性至关重要。
3.减少气相反应
低压还能降低气相反应的可能性。
在常压 CVD 过程中，气体分子经常发生碰撞，这可能导致气相在到达基底之前发生不必要的反应。
这些反应会产生颗粒，污染薄膜或导致表面粗糙。
通过在较低的压力下操作，这些碰撞的频率会降低，从而最大限度地减少不必要的副产品的形成，并提高沉积薄膜的清洁度和光滑度。
4.增强控制和可重复性
LPCVD 需要对工作压力、前驱气体流速、输入功率、基底温度和偏压等参数进行仔细控制。
这种控制水平对于确保沉积过程的可重复性和实现所需的薄膜特性是必不可少的。
与常压 CVD 相比，低压 CVD 中的动力学控制机制通常能改善薄膜质量，因为在低压 CVD 中，反应物向表面的扩散速度很快，反应由表面反应速率主导。
总之，在低压下进行 CVD 可以降低操作温度、促进均匀沉积速率、减少气相反应并更好地控制沉积过程，从而提高工艺水平，最终获得质量更高、可重复性更强的薄膜。
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