化学气相沉积（CVD）是一种通过在真空室中分解挥发性前驱体在基底上沉积高质量薄膜和涂层的工艺。在此过程中，一种或多种挥发性前驱体被输送到反应室中加热的基底表面，在那里分解并形成一层均匀的薄膜。然后，副产品和未反应的前体从反应室中排出。
详细说明：
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前驱体的引入和分解：
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在 CVD 中，前驱体气体（通常是卤化物或氢化物）被引入真空室。这些气体根据所需的沉积材料来选择，包括硅化物、金属氧化物、硫化物和砷化物。前驱体通常具有挥发性，可以很容易地输送到反应室中。进入反应室后，前驱体在接触到加热的基底表面时会发生分解。这种分解至关重要，因为它能启动所需膜或涂层的形成。薄膜形成和镀层均匀性：
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随着前驱体的分解，它们会在基底上形成一层均匀的涂层。这种均匀性对于最终产品的质量和性能至关重要。该过程在温度和压力等受控条件下进行，以确保沉积材料在基底上均匀分布。均匀性是通过精确控制腔室内的气体流速和热条件来实现的。
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副产品排放和腔室清理：
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前驱体的分解不仅会沉积所需的材料，还会产生化学副产品。这些副产品以及任何未反应的前驱体都要从反应腔中清除。这通常是通过扩散实现的，在扩散过程中，这些物质会从反应室中排出，从而为持续沉积保持一个清洁的环境。CVD 技术的变化：
CVD 有多种变化，每种都是根据特定需求和条件量身定制的。其中包括常压 CVD、低压 CVD、超高真空 CVD、气溶胶辅助 CVD、直接液体注入 CVD、微波等离子体辅助 CVD、等离子体增强 CVD 和远程等离子体增强 CVD。每种方法都会调整压力、前驱体类型和反应引发方法，以针对不同的材料和应用优化沉积过程。
