石墨烯是如何大规模生产的？利用化学气相沉积（Cvd）技术大规模生产高质量石墨烯

对于高质量石墨烯的大规模生产，最突出和广泛采用的方法是化学气相沉积（CVD）。这种“自下而上”的技术涉及在金属基底上生长连续的单原子厚碳原子薄膜。与分解石墨的方法不同，CVD允许精确地制造先进电子和工业应用所需的大面积、均匀薄片。

虽然存在多种生产石墨烯材料的方法，但只有化学气相沉积（CVD）能够持续解决制造高质量、大面积薄膜的挑战，使其成为电子和光学应用工业规模生产的基石。

石墨烯生产的两种基本方法

理解石墨烯生产首先要认识到两种对立的理念：分解大块材料（“自上而下”）或从单个原子构建所需的材料（“自下而上”）。

此类别包括从石墨（本质上是堆叠的石墨烯层）开始并分离这些层的方法。

机械剥离是最初的方法，著名地使用胶带从石墨中剥离层。它能生产原始、高质量的石墨烯，但无法扩展到实验室研究之外。

液相剥离涉及将石墨悬浮在液体中，并利用能量（如超声处理）将层分离。这可以生产大量的石墨烯薄片，但电学质量较低，更适合用于复合材料和油墨而非电子产品。

氧化石墨烯（GO）的还原是另一种可扩展的“自上而下”方法。它涉及化学氧化石墨，将其剥离成氧化石墨烯，然后去除氧。然而，该过程会留下结构缺陷，损害材料的性能。

这种方法逐个原子地构建石墨烯晶格，对最终产品的质量和均匀性提供了卓越的控制。

化学气相沉积（CVD）是领先的“自下而上”技术。它擅长制造大面积、连续的高质量石墨烯薄片，这也是它成为工业应用焦点的原因。

碳化硅（SiC）升华是另一种高温方法，其中硅被加热直到从SiC晶圆表面蒸发，留下碳原子层，这些碳原子重新排列成石墨烯。虽然它能生产高质量材料，但SiC晶圆极高的成本限制了其广泛使用。

CVD过程是一种在专用炉内进行的高度受控的生长技术。

首先，将基底（通常是铜或镍等过渡金属的薄箔）放入反应室中。反应室被加热到非常高的温度，通常约为1000°C。

然后将含碳气体（如甲烷（CH₄））引入腔室。高温充当催化剂，将碳氢化合物气体分子分解成其组成原子。

游离的碳原子沉积在热金属基底的表面。它们自然地排列成石墨烯的六方晶格结构，形成连续的单原子厚薄膜，可以覆盖箔的整个表面。

工程师可以通过调整工艺参数来精确控制最终产品。气体流量、温度、压力和暴露时间都会影响所形成石墨烯层的质量和数量。

没有一种生产方法是完美适用于所有应用的。选择涉及平衡质量、规模和成本。

CVD的主要优点是能够生产适用于电子产品的大面积、均匀、高质量石墨烯薄片。主要缺点是工艺复杂性以及需要将石墨烯薄膜从其金属生长基底转移到最终目标基底，如果操作不当可能会引入缺陷。

液相剥离非常适合以较低成本批量生产石墨烯薄片。然而，所得材料具有更多的结构缺陷和更小的薄片尺寸，限制了其在要求原始导电性的应用中的性能。

GO还原方法具有高度可扩展性和成本效益。重要的权衡是纯度。化学过程不可避免地会留下残留的氧和其他缺陷，这严重破坏了石墨烯的电学性能。

无论采用何种生产方法，都必须对最终材料进行分析以确认其性能。这对于确保一致性和性能至关重要。

这是表征石墨烯最常用和最强大的技术。它可以快速识别材料，确认层数，并提供其结构缺陷的定量测量。

扫描电子显微镜（SEM）用于检查石墨烯薄膜的表面形貌，揭示皱纹、折叠或撕裂。透射电子显微镜（TEM）提供更高的分辨率，允许可视化原子晶格本身。

这种方法分析材料内的化学状态。它对于验证还原氧化石墨烯中氧的去除或检测其他污染物特别有用。

选择生产方法完全取决于最终目标和所需的特定性能。

最终，生产方法的选择取决于石墨烯所需质量与其生产可接受成本之间的直接权衡。