化学气相沉积（CVD）工艺确实需要真空。真空度因所采用的特定 CVD 类型而异。CVD 工艺分为常压 CVD (APCVD)、低压 CVD (LPCVD) 和超高真空 CVD (UHVCVD)，这表明对真空度的要求各不相同。
关于 CVD 真空要求的 4 个重要见解
1.常压 CVD (APCVD)
常压 CVD（APCVD）在常压下工作，是 CVD 技术中真空度最低的一种。但是，它仍然需要一个受控环境，以防止污染并确保沉积质量。
2.低压 CVD（LPCVD）
低压 CVD（LPCVD）的工作压力明显低于大气压条件。这种低压是增加反应气体平均自由路径所必需的，从而使基底表面的反应更加均匀和可控。LPCVD 中的真空有助于减少气体污染，提高沉积过程的纯度。
3.超高真空 CVD（UHVCVD）
超高真空 CVD（UHVCVD）需要最高的真空度。超高真空环境对于实现极高纯度和精确控制沉积过程至关重要。这对于半导体制造等需要极高质量薄膜的应用尤为重要。
4.关于真空要求的更正
参考文献提到，与 PVD 相比，CVD 无需使用高真空泵。这种说法具有误导性，因为它暗示 CVD 不需要真空，这是不正确的。虽然 CVD 可以在比 PVD 更高的压力下运行，但它仍然需要真空环境，只是真空度因所使用的特定 CVD 技术而异。
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