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用于薄膜沉积的溅射替代方法包括热蒸发、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）。每种方法都有自己的优势，并根据所需的薄膜特性和所涉及的材料适用于特定的应用。
热蒸发：
热蒸发是指在真空条件下将材料加热到其蒸发点，使其变成蒸汽，然后在基底上凝结成薄膜。这种方法特别适用于沉积蒸汽压较高且相对容易蒸发的材料。在表面形态不是关键因素的情况下，这种方法通常用于沉积较厚的薄膜，因为其沉积速率通常高于溅射法。不过，热蒸发产生的薄膜在密度、附着力或均匀性方面可能不如溅射，尤其是在低温条件下。化学气相沉积（CVD）：
化学气相沉积是一种利用气态前驱体分子间的化学反应在基底上沉积固态薄膜的工艺。这种方法可用于沉积多种材料，包括复杂的化合物和多层结构。CVD 可在不同的温度和压力下进行，并可加入各种反应气体以形成所需的化合物。薄膜质量（包括附着力和均匀性）可能非常出色，但与溅射相比，该工艺可能需要更高的温度和更复杂的设备。
原子层沉积 (ALD)：
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钨和钼坩埚具有优异的热性能和机械性能，常用于电子束蒸发工艺。
主要用于电力电子领域的一种技术。它是利用电子束技术，通过材料沉积将碳源材料制成的石墨薄膜。
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电子束蒸发涂层无氧铜坩埚可实现各种材料的精确共沉积。其可控温度和水冷设计可确保纯净高效的薄膜沉积。
在电子枪光束蒸发中，坩埚是一种容器或源支架，用于盛放和蒸发要沉积到基底上的材料。
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用于高温应用的容器，可将材料保持在极高温度下蒸发，从而在基底上沉积薄膜。
射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统
RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。
这些坩埚充当电子蒸发束蒸发出的金材料的容器，同时精确引导电子束以实现精确沉积。
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用于沉积薄膜的容器；具有铝涂层陶瓷本体，可提高热效率和耐化学性。
有机物蒸发舟是在有机材料沉积过程中实现精确均匀加热的重要工具。
它可用于各种金属和合金的气相沉积。大多数金属都能完全蒸发而不损失。蒸发筐可重复使用1。
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