化学气相沉积（CVD）工艺有其自身的挑战和缺点。
化学气相沉积的 4 个主要缺点是什么？
1.操作限制
化学气相沉积通常需要专用设备。
它不能在现场进行，必须运到专门的涂层中心。
该工艺要求将所有部件分解成单个组件，这可能会耗费大量时间，在物流方面也具有挑战性。
真空室的尺寸限制了较大表面的镀膜，因此不适合大规模应用。
2.覆盖范围和温度问题
CVD 在覆盖范围方面有局限性。
要么完全覆盖，要么完全不覆盖，这可能导致复杂表面的保护不完整。
该工艺通常在高温下进行，这对于某些在高温条件下可能会降解或翘曲的材料来说是个问题。
这种高温要求还可能导致热膨胀系数不同的薄膜之间产生应力和故障。
3.环境和安全问题
CVD 的许多副产品都是有害的。
这些副产品具有剧毒性、爆炸性或腐蚀性。
这些副产品需要小心处理和处置，既复杂又昂贵。
与这些副产品相关的环境影响和安全风险要求采取严格的安全措施，并可能增加运营成本。
4.高成本
CVD 工艺涉及高强度的加热和冷却循环，因此成本较高。
此外，一些前驱气体，特别是芯片制造中使用的前驱气体的成本也很高。
由于需要专业设备和训练有素的人员，这些成本进一步增加。
与环境合规性和安全措施相关的潜在成本也增加了总体费用。
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