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化学气相沉积（CVD）是一种广泛使用的合成高质量石墨烯的方法，尤其适合大规模生产。这种方法是在过渡金属基底上分解碳氢化合物前驱体，从而形成石墨烯层。基底（如铜、镍或钴）的选择在很大程度上影响着石墨烯的质量和均匀性。
1.基底的选择：
CVD 中基底的选择至关重要，因为它会影响石墨烯的特性及其转移的难易程度。铜通常是首选，因为它能够支持石墨烯单层的独家沉积。另一方面，镍可控制石墨烯层的形成，但可能导致多层生长。钴和其他过渡金属（如钌、铱、铂、铑、金、钯和铼）也在探索之列，但它们在成本、质量和可扩展性方面通常无法与铜、镍和钴相比。2.工艺参数：
CVD 工艺需要仔细控制气体量、压力、温度和持续时间等参数，以确保生产出高质量的石墨烯。碳氢化合物前驱体在高温下分解，释放出碳原子，然后在基底表面形成石墨烯层。金属基底可作为催化剂，降低反应的能障并影响沉积机制。
3.应用和优势：
CVD 法生产的石墨烯缺陷少、均匀性好，因此在高性能电子器件和传感器领域具有很高的应用价值。这种方法能够生产大面积的石墨烯，因此特别适用于对可扩展性要求较高的工业应用领域。
4.与其他方法的比较：
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