等离子体增强化学气相沉积（PECVD）使用前驱气体在各种基底上形成薄膜。
这些气体通常是活性气体，通过等离子体电离产生激发态活性基团。
然后，这些活性基团扩散到基底表面并发生化学反应，完成薄膜的生长。
常见的前驱体气体包括硅烷、氧气和其他可在金属、氧化物、氮化物和聚合物等基材上形成薄膜涂层的气体。
PECVD 中有哪些前驱气体？(5 个要点说明）
1.前驱气体在 PECVD 中的作用
在 PECVD 中，前驱气体以气态被引入反应室。
由射频 (RF)、直流 (DC) 或微波放电产生的等离子体为这些气体通电。
这一电离过程会形成包含离子、自由电子、自由基、激发原子和分子的等离子体。
这些通电物种对沉积过程至关重要，因为它们会与基底相互作用，从而沉积出薄膜。
2.前驱体气体类型
硅烷（SiH4）： 常用于沉积硅基薄膜，如二氧化硅或氮化硅。
氧气 (O2)： 通常与其他气体结合使用以形成氧化物。
氢气 (H2)： 用于协助前驱体在较低温度下还原或分解。
有机气体： 在沉积聚合物薄膜时，会使用碳氟化合物、碳氢化合物和硅酮等气体。
3.薄膜形成机理
等离子体增强了反应物的化学活性。
这使得化学反应可以在比传统 CVD 低得多的温度下进行。
等离子体解离前驱体气体，产生高活性物质，这些物质可与基底或相互之间发生反应，形成所需的薄膜。
这种工艺即使在低温下也很有效，这对于对高热敏感的基底来说至关重要。
4.低压在 PECVD 中的重要性
大多数 PECVD 过程都在低压下进行。
这可通过增加等离子体的平均自由路径来稳定放电等离子体。
低压环境可确保反应物有效到达基底表面，从而提高沉积薄膜的均匀性和质量。
5.5. PECVD 技术的变化
射频-PECVD： 使用射频等离子体，可通过电容耦合（CCP）或电感耦合（ICP）产生。电感耦合通常能产生更高密度的等离子体，从而更有效地解离前驱体。
VHF-PECVD 使用超高频等离子体，通过为反应物提供更多能量，进一步提高沉积速率和薄膜质量。
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