PECVD（等离子体增强化学气相沉积）中的前驱气体通常是活性气体，在等离子体的作用下被电离，形成激发态活性基团。然后，这些基团扩散到基底表面并发生化学反应，完成薄膜的生长。常见的前驱气体包括硅烷、氧气和其他可在金属、氧化物、氮化物和聚合物等基材上形成薄膜涂层的气体。
详细说明：
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前驱气体在 PECVD 中的作用：
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在 PECVD 中，前驱气体以气态被引入反应室。由射频（RF）、直流（DC）或微波放电产生的等离子体为这些气体通电。这一电离过程会形成包含离子、自由电子、自由基、激发原子和分子的等离子体。这些通电的物质对沉积过程至关重要，因为它们会与基底相互作用，从而沉积出薄膜。
- 前驱体气体类型：硅烷（SiH4）：
- 常用于沉积硅基薄膜，如二氧化硅或氮化硅。氧气 (O2)：
- 通常与其他气体结合使用以形成氧化物。氢气 (H2)：
- 用于协助前驱体在较低温度下还原或分解。有机气体：
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用于沉积聚合物薄膜的气体包括碳氟化合物、碳氢化合物和硅酮。薄膜形成机制：
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与传统的 CVD 相比，等离子体可提高反应物的化学活性，使化学反应在更低的温度下进行。等离子体解离前驱气体，产生高活性物质，这些物质可与基底或相互之间发生反应，形成所需的薄膜。这种工艺即使在低温下也很有效，这对于对高热敏感的基底来说至关重要。
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PECVD 中低压的重要性：
- 大多数 PECVD 工艺都在低压下进行，通过增加等离子体的平均自由路径来稳定放电等离子体。这种低压环境可确保反应物有效到达基底表面，从而提高沉积薄膜的均匀性和质量。
- PECVD 技术的变化：射频-PECVD：
使用射频等离子体，可通过电容耦合（CCP）或电感耦合（ICP）产生。电感耦合通常能产生更高密度的等离子体，从而更有效地解离前驱体。
VHF-PECVD
