气相技术包括
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光引发气相沉积(PICVD) - 这种工艺利用紫外光引发化学反应,由于等离子体会发出强烈的紫外辐射,因此与等离子体加工类似。在特定条件下,PICVD 可在大气压或接近大气压的条件下运行。这种技术特别适用于等离子体引起的损坏问题,因为它可以提供一种更温和的替代方法,同时还能实现所需的化学反应。
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激光化学气相沉积(LCVD) - LCVD 利用激光加热基底上的特定点或线,主要用于半导体应用。在微机电系统和光纤生产中,激光用于快速分解前驱体气体,工艺温度可能超过 2000 ℃。这种方法可以将材料精确地沉积在特定的图案或结构中,类似于激光烧结 3-D 打印机从粉末中制造固体的方法。
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物理气相沉积(PVD) - 物理气相沉积是利用电子束或等离子体等高能源或通过简单加热使固体材料气化。气化后的材料凝结在基底上形成薄膜。PVD 技术用途广泛,能够沉积包括金属、合金和陶瓷在内的多种材料。它通常用于涂层和表面处理应用以及半导体制造。
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化学气相沉积(CVD) - 化学气相沉积是利用气态物质离解产生蒸汽。然后,这些蒸汽在基底上发生反应并沉积形成薄膜。CVD 技术包括热 CVD 和等离子体增强 CVD (PECVD),每种技术都适合不同的应用,具体取决于所需的薄膜特性和沉积条件。
每种技术都具有独特的优势,并根据应用的具体要求(如要沉积的材料类型、所需的薄膜特性和操作条件)进行选择。
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