说到溅射，主要有两种方法：射频（RF）和直流（DC）溅射。
这两种方法的主要区别在于电源及其电离气体和溅射目标材料的方式。
1.电源和压力要求
直流溅射
直流溅射使用直流电源。
这种电源通常需要 2,000-5,000 伏特电压。
它的腔室压力较高，约为 100 mTorr。
这会导致带电等离子体粒子与目标材料之间发生更多碰撞。
射频溅射
射频溅射利用交流电源。
这种电源的频率为 13.56 MHz，需要 1,012 伏特或更高电压。
它能将气体等离子体保持在明显更低的压力下，低于 15 mTorr。
这减少了碰撞的次数，为溅射提供了更直接的途径。
2.目标材料的适用性
直流溅射
直流溅射非常适合导电材料。
它利用电子轰击直接电离气体等离子体。
然而，它可能会在非导电靶材上造成电荷积聚。
这种电荷积聚会排斥进一步的离子轰击，并可能导致溅射过程停止。
射频溅射
射频溅射对导电和非导电材料都很有效。
交流电可防止目标上的电荷积聚。
在正半周期间，它能中和靶材表面收集的正离子。
它在负半周溅射目标原子。
3.溅射机理
直流溅射
直流溅射涉及高能电子对目标的直接离子轰击。
如果目标不导电，这可能导致电弧和溅射过程停止。
射频溅射
射频溅射利用动能从气体原子中去除电子。
这样产生的等离子体可有效溅射导电和非导电目标，而不会有电荷积聚的风险。
4.频率和放电
射频溅射
射频溅射需要 1 MHz 或更高的频率。
这对于在非导电材料上保持溅射过程至关重要。
直流溅射
直流溅射不需要高频率放电。
这使得直流溅射在电源要求方面更为简单，但对于不同的目标材料，其通用性较差。
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