低压化学气相沉积(LPCVD)是一种用于在基底上沉积薄膜的技术。
低压化学气相沉积的沉积速率受多种因素影响。
这些因素包括温度、压力、气体流速以及所涉及的特定化学反应。
LPCVD 的沉积速率是多少? 4 个关键因素解析
1.温度
温度对 LPCVD 的沉积速率起着至关重要的作用。
LPCVD 系统可以精确控制,通常在 350 至 400°C 之间运行。
沉积速率在很大程度上取决于表面反应速率,而表面反应速率随温度升高而增加。
2.压力
LPCVD 在亚大气压下运行,通常在 0.1 到 10 托之间。
这种低压增强了气体扩散,减少了不必要的气相反应。
因此,它能提高薄膜的均匀性和沉积速率。
3.气体流速
LPCVD 的沉积速率可通过改变前驱气体的比例来调节。例如,增加 DCS/NH3 比率会降低沉积速率。这表明这些气体之间的化学反应对薄膜的生长速度有很大影响。 4.前驱体气体的特定化学性质 前驱体气体的特定化学性质也起着至关重要的作用。