技术团队 · Kintek Solution

低压化学气相沉积（LPCVD）是一种用于在基底上沉积薄膜的技术。

低压化学气相沉积的沉积速率受多种因素影响。

这些因素包括温度、压力、气体流速以及所涉及的特定化学反应。

LPCVD 的沉积速率是多少？ 4 个关键因素解析

1.温度

温度对 LPCVD 的沉积速率起着至关重要的作用。

LPCVD 系统可以精确控制，通常在 350 至 400°C 之间运行。

沉积速率在很大程度上取决于表面反应速率，而表面反应速率随温度升高而增加。

2.压力

LPCVD 在亚大气压下运行，通常在 0.1 到 10 托之间。

这种低压增强了气体扩散，减少了不必要的气相反应。

因此，它能提高薄膜的均匀性和沉积速率。

3.气体流速

LPCVD 的沉积速率可通过改变前驱气体的比例来调节。例如，增加 DCS/NH3 比率会降低沉积速率。这表明这些气体之间的化学反应对薄膜的生长速度有很大影响。 4.前驱体气体的特定化学性质 前驱体气体的特定化学性质也起着至关重要的作用。