了解 PVD（物理气相沉积）和 CVD（化学气相沉积）之间的区别对于半导体行业或相关领域的从业人员来说至关重要。这两种方法都用于在基底上沉积薄膜，但它们通过不同的工艺进行操作。
4 个要点说明
1.工艺机制
- PVD 利用物理力将材料沉积到基底上。这通常涉及将固体颗粒气化成等离子体，然后以视线方式沉积。
- 化学气相沉积 涉及在基底表面发生化学反应，利用化学蒸汽反应形成所需的薄膜。
2.沉积特性
- PVD 是一种视线沉积，即材料直接沉积在气化颗粒的路径上。这会影响不平整表面上薄膜的均匀性和厚度。
- 气相沉积 涉及多向、气态沉积，往往更具扩散性，能更好地覆盖复杂或不平整的表面。
3.化学参与
- PVD 工艺（如溅射或热蒸发）一般不涉及化学反应。
- CVD 是指在沉积过程中发生的化学反应，可形成复杂的化合物和精确的薄膜特性。
4.应用考虑因素
- 在 PVD 和 CVD 之间做出选择取决于应用的具体要求，包括均匀覆盖的需要、基底表面的复杂性以及所需的薄膜特性。
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