知识 什么是阴极溅射工艺?(6 个关键步骤详解)
作者头像

技术团队 · Kintek Solution

更新于 3个月前

什么是阴极溅射工艺?(6 个关键步骤详解)

阴极溅射是一种利用等离子体将原子从目标材料中喷射出来的工艺。

然后,这些原子以薄膜或涂层的形式沉积到基底上。

这一过程是通过将受控气体(通常是氩气)引入真空室来实现的。

气体通电后产生等离子体。

在等离子体中,气体原子变成带正电的离子。

这些离子被加速冲向目标,使目标材料中的原子或分子脱落。

溅射材料形成蒸汽流,沉积在基底上。

什么是阴极溅射过程?(6 个关键步骤说明)

什么是阴极溅射工艺?(6 个关键步骤详解)

1.真空室设置

该过程在真空室中开始。

真空室内部的压力被降至很低的水平,通常约为 10^-6 托。

这就为溅射过程创造了一个不受大气气体干扰的环境。

2.引入溅射气体

将氩气等惰性气体引入真空室。

选择氩气是由于其化学惰性和在溅射条件下形成等离子体的能力。

3.等离子体的产生

在真空室的两个电极之间施加电压。

其中一个电极是阴极,由要沉积的材料制成。

该电压会产生辉光放电,这是一种等离子体。

在等离子体中,自由电子与氩原子碰撞,使其电离并产生带正电荷的氩离子。

4.离子加速和靶腐蚀

在电场的作用下,带正电荷的氩离子被加速冲向带负电荷的阴极。

当这些离子与目标碰撞时,它们会将动能传递给目标材料。

这导致原子或分子从靶材表面喷射出来。

5.沉积到基底上

从靶上喷射出的材料形成蒸汽穿过腔室。

它沉积在附近的基底上。

这种沉积会在基底上形成目标材料的薄膜或涂层。

6.控制和优化

溅射过程的效率和质量可通过调整施加的电压、气体压力和腔室几何形状等参数来控制。

共焦溅射等技术可用于提高均匀性,并允许同时沉积多种材料。

继续探索,咨询我们的专家

利用 KINTEK SOLUTION 的创新设备,探索阴极溅射技术的精确性和多功能性。

从优化真空室设置到微调沉积参数,我们先进的溅射系统可确保为众多行业提供高质量的薄膜。

与 KINTEK SOLUTION 一起提升您的研究和制造水平--在这里,创新符合行业标准。

投资于卓越;相信 KINTEK SOLUTION 可以满足您今天的溅射需求!

相关产品

等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机

等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机

使用 PECVD 涂层设备升级您的涂层工艺。是 LED、功率半导体、MEMS 等领域的理想之选。在低温下沉积高质量的固体薄膜。

碳化硼 (BC) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

碳化硼 (BC) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

以合理的价格为您的实验室需求提供高质量的碳化硼材料。我们可定制不同纯度、形状和尺寸的碳化硼材料,包括溅射靶材、涂层、粉末等。

电子束蒸发涂层无氧铜坩埚

电子束蒸发涂层无氧铜坩埚

电子束蒸发涂层无氧铜坩埚可实现各种材料的精确共沉积。其可控温度和水冷设计可确保纯净高效的薄膜沉积。

火花等离子烧结炉 SPS 炉

火花等离子烧结炉 SPS 炉

了解火花等离子烧结炉在快速、低温材料制备方面的优势。加热均匀、成本低且环保。

射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统

射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统

RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC(类金刚石碳膜)。其波长范围为 3-12um 红外线。

电子枪光束坩埚

电子枪光束坩埚

在电子枪光束蒸发中,坩埚是一种容器或源支架,用于盛放和蒸发要沉积到基底上的材料。

电子束蒸发石墨坩埚

电子束蒸发石墨坩埚

主要用于电力电子领域的一种技术。它是利用电子束技术,通过材料沉积将碳源材料制成的石墨薄膜。

拉丝模纳米金刚石涂层 HFCVD 设备

拉丝模纳米金刚石涂层 HFCVD 设备

纳米金刚石复合涂层拉丝模以硬质合金(WC-Co)为基体,采用化学气相法(简称 CVD 法)在模具内孔表面涂覆传统金刚石和纳米金刚石复合涂层。

高纯碳(C)溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

高纯碳(C)溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

您正在为您的实验室需求寻找经济实惠的碳 (C) 材料吗?别再犹豫了!我们专业生产和定制的材料有各种形状、尺寸和纯度。您可以选择溅射靶材、涂层材料、粉末等。

铜锆合金 (CuZr) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

铜锆合金 (CuZr) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

了解我们根据您的独特需求量身定制的价格合理的铜锆合金材料系列。浏览我们的溅射靶材、涂层、粉末等产品。


留下您的留言