化学气相沉积（CVD）是一种用于生产高纯度、高性能固体材料的工艺，在半导体工业中通常以薄膜的形式出现。
该工艺将基底暴露于挥发性前驱体中，前驱体在基底表面发生反应和/或分解，形成所需的沉积物。
挥发性副产品通过反应室中的气流去除。
什么是化学气相沉积（CVD）工艺？- 3 个关键步骤说明
1.引入前驱体
基底暴露在一种或多种挥发性前驱体中，这些前驱体通常是卤化物或氢化物。
这些前驱体将沉积材料带入基底。
2.反应和沉积
前驱体在基底表面发生反应和/或分解，形成固体沉积物。
这一过程可能涉及热分解、化学合成或化学传输反应。
3.去除副产品
反应过程中产生的挥发性副产品通过气流去除，以确保沉积材料的纯度和质量。
详细说明
前驱体介绍
在 CVD 过程中，基底（通常是半导体应用中的晶片）被放置在反应腔中。
反应室中充满一种或多种挥发性前驱体。
这些前驱体经过精心挑选，可将所需的沉积材料带入基底。
例如，它们可能是卤化物或氢化物，与基底接触后会发生分解或反应。
反应和沉积
前驱体到达基底后，会发生化学反应。
这些反应可以是热分解，前驱体受热分解，释放出沉积材料。
或者是化学合成，形成新的化合物；或者是化学传输，材料从系统的一个部分转移到另一个部分。
这些反应的结果是在基底上沉积固体材料。
这层材料可以是单晶、多晶、非晶或外延，具体取决于应用的具体要求。
去除副产品
随着反应的进行，会产生挥发性副产品。
这些副产品必须从反应室中清除，以保持沉积材料的纯度。
通常的做法是让气体流经反应室，将副产品带走。
这种气流还有助于保持反应腔内所需的温度和压力条件。
特点和应用
多功能性
CVD 可用来沉积各种材料，包括金属、陶瓷和各种化合物。
这种多功能性使其适用于从电子到航空航天等众多应用领域。
均匀性和覆盖面
由于 CVD 能够在大气压或低真空条件下运行，因此可对复杂形状甚至工件上的深孔或细孔进行均匀镀膜。
镀层质量
化学气相沉积产生的沉积物通常具有高纯度、高密度、低残余应力和良好的结晶性，这对许多高性能应用至关重要。
总之，化学气相沉积是许多现代技术制造过程中的关键工艺，尤其是在半导体行业，因为它能够生产出各种材料的高质量薄膜。
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