CVD（化学气相沉积）工艺是指通过气相化学反应在基底上沉积固体材料。
这种技术被广泛应用于包括电子和光电子在内的各行各业的薄膜和涂层沉积。
什么是 CVD 金属沉积工艺？5 个关键步骤说明
1.引入挥发性前驱体
CVD 工艺始于将一种或多种挥发性前驱体引入反应室。
这些前驱体通常是气体或蒸汽，含有形成所需材料的元素。
2.基质上的化学反应
前驱体在加热的基底表面发生反应或分解。
这种反应导致所需材料薄膜或涂层的沉积。
基底可以预热以促进反应，温度通常在 900 至 1400 °C 之间。
3.控制沉积参数
沉积材料的特性可通过调整几个参数来控制。
这些参数包括基底类型、基底温度、反应气体的成分以及气体的压力和流速。
4.形成各种材料
CVD 可以生成多种材料。
这些材料包括陶瓷纳米复合涂层、电介质、单晶硅、聚合物材料和金属。
它还可用于制造颜料和纳米结构粉末，如 TiO2、SiO2、Al2O3、Si3N4 和炭黑。
5.材料工程中的应用
除了简单的沉积，CVD 还用于应变工程，以提高晶体管的性能。
它还用于半导体和其他先进材料的生产。
CVD 可用于弥补金属和合金的缺陷，通过涂层或热处理提高其耐腐蚀性和耐磨性。
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