溅射硅是一种将硅薄膜沉积到硅晶片等基底上的工艺。这种方法称为溅射沉积，是物理气相沉积（PVD）的一种。
了解溅射硅工艺的 7 个步骤
1.真空室设置
溅射过程在真空室中开始。基底（通常是硅晶片）被放置在真空室中。
2.放置溅射靶材
由硅制成的溅射靶也放置在真空室中。溅射靶与阴极相连，而基底则与阳极相连。
3.引入惰性气体
将惰性气体（通常为氩气）引入腔室。这种气体作为介质将溅射材料从靶材转移到基底上。
4.形成等离子体
对靶材施加负电荷，从而在腔体内形成等离子体。该等离子体是通过高能粒子轰击靶材产生的。
5.硅原子溅射
高能粒子（通常是氩离子）与目标材料中的原子碰撞，导致原子被溅射掉。
6.硅薄膜的沉积
溅射出的硅原子在惰性气体的作用下穿过真空室，沉积到基底上。
7.形成薄膜
沉积过程一直持续到在基底上形成所需厚度的硅薄膜为止。根据工艺参数和条件的不同，形成的硅薄膜可具有各种特性，如反射率、电阻率或离子电阻率或其他特定特性。
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