MOCVD 工艺的温度范围通常为 500°C 至 1200°C。
这个温度范围对于促进金属有机前驱体的热分解和随后半导体材料的外延生长是必要的。
温度范围说明
1.温度下限（500°C）
在温度范围的低端，工艺通常更易控制。
对高温敏感的材料可以使用较低的温度。
较低的温度还可以降低损坏基底或底层的风险。
这一点在处理较脆弱的材料或沉积具有不同特性的多层材料时尤为重要。
2.温度上限（1200°C）
对于需要较高活化能才能发生化学反应的更坚固材料来说，温度范围的上限是必要的。
更高的温度可以提高外延生长的质量，使薄膜的结晶度更高，缺陷更少。
但是，在这些较高温度下操作会增加工艺的复杂性，以及发生不必要的反应或前驱体降解的风险。
工艺注意事项
MOCVD 工艺使用金属有机化合物和氢化物作为原料。
这些材料在气相外延装置中进行热分解。
基底通常放置在加热的石墨基座上，暴露在氢气流中，氢气流将金属有机化合物带入生长区。
基底的温度至关重要，因为它直接影响沉积的速度和质量。
控制和监测
精确控制温度对于 MOCVD 的可重复性和高产率至关重要。
现代 MOCVD 系统采用了先进的过程控制仪器，可实时监控和调整气体流量、温度和压力等变量。
这确保了金属有机源浓度的一致性和可重复性，这对于实现所需的薄膜特性和保持高工艺效率至关重要。
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