半导体薄膜工艺涉及在基底上沉积导电、半导体和绝缘材料层。
通常，这种基底是硅或碳化硅晶片。
这些薄膜对于集成电路和分立半导体器件的制造至关重要。
该工艺非常精确，需要使用光刻技术精心制作图案，才能同时制造出多种有源和无源器件。
什么是半导体薄膜工艺？5 个关键步骤解析
1.薄膜沉积
该工艺首先是在基底上沉积薄膜。
这是通过各种沉积技术实现的，如化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD) 和原子层沉积 (ALD)。
这些方法可确保在基底上形成均匀且高质量的材料层。
2.图案化和光刻
沉积完成后，使用光刻技术对每一层进行图案化。
这包括使用光束或电子束将光罩上的几何图案转移到晶片上的光敏材料上。
这一步骤对于确定半导体器件的功能元件至关重要。
3.集成和制造
然后对图案层进行集成，形成完整的半导体器件。
这涉及沉积、图案化和蚀刻等多个步骤，以创建所需的电子元件和电路。
4.沉积详解
沉积技术的选择取决于薄膜的材料和所需的特性。
例如，CVD 通常用于沉积硅及其化合物，而 PVD 则适用于金属。
另一方面，ALD 可以非常精确地控制薄膜厚度和成分，因此非常适合复杂设备。
5.图案化和光刻技术详解
光刻是确定半导体器件功能的关键步骤。
光刻和电子束光刻等技术用于创建图案，为后续蚀刻和掺杂工艺提供指导。
这些图案的分辨率直接影响到器件的性能和微型化。
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