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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能技术，可用于沉积多种材料，包括氧化硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、类金刚石碳（DLC）和无定形硅。这种方法尤其具有吸引力，因为它能够在低于 400°C 的温度下生产出高度均匀、应力小的化学计量薄膜。
硅基薄膜：
PECVD 广泛用于沉积氧化硅、二氧化硅和氮化硅等硅基薄膜。这些材料在半导体工业中至关重要，可用作封装剂、钝化层、硬掩膜和绝缘体。PECVD 的沉积温度较低（100°C - 400°C），有利于温度敏感型设备，可在不损坏底层基底的情况下形成这些薄膜。碳基薄膜：
类金刚石碳 (DLC) 和其他碳基薄膜也可使用 PECVD 沉积。这些材料以其优异的机械和电气性能而著称，因此适合应用于耐磨涂层、光学涂层以及各种电子设备的保护层。
其他材料：
PECVD 技术已发展到可沉积金属、氧化物、氮化物和硼化物等各种其他材料。这些材料应用广泛，从 MEMS 设备到射频滤波器调谐以及作为牺牲层。PECVD 能够处理无机和有机分子，这拓宽了它在不同行业的应用范围。
技术进步：
使用 PECVD 涂层设备升级您的涂层工艺。是 LED、功率半导体、MEMS 等领域的理想之选。在低温下沉积高质量的固体薄膜。
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