石墨烯的化学气相沉积（CVD）通常在 800 至 1050 °C 的温度下进行。这种高温是碳前驱体分解以及随后在基底上形成石墨烯层所必需的。
说明：
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碳前驱体分解:该过程始于含碳化合物的分解，其形式可以是甲烷或乙炔等气体，也可以是六氯苯等固体材料。这些前驱体必须加热到分解温度，才能释放出形成石墨烯的碳原子。例如，在铜箔基底上将六氯苯加热至 360°C 以启动石墨烯的形成。
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温度与层的形成:随着温度的升高，在基底上形成的石墨烯层数量也会增加。这是因为温度越高，碳前驱体的分解效率越高，碳原子的扩散速度越快，从而形成的石墨烯薄膜越厚。
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催化剂的作用:通常使用镍等金属催化剂来降低所需的反应温度。在 CVD 过程中，这些催化剂有助于吸附碳前体，并将其分解成形成石墨烯的碳种。这种催化作用降低了石墨烯合成所需的总能量。
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物理条件:除温度外，压力、载气和基底材料等其他物理条件也会影响 CVD 过程。低压化学气相沉积（LPCVD）通常使用低压（1 至 1500 帕），以防止不必要的反应并确保均匀沉积。氢气和氩气等载气可增强表面反应，提高石墨烯的沉积速率。
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应用和质量:CVD 中的高温和受控条件对于生产适合电子、光电和其他领域应用的高质量、大面积石墨烯薄膜至关重要。铜、钴和镍等基底的使用进一步促进了单层和多层石墨烯薄膜的生产。
总之，CVD 中 800 至 1050 °C 的温度范围对于碳前驱体的高效分解和石墨烯在基底上的生长至关重要，从而确保了所得石墨烯薄膜的质量和适用性。
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