溅射沉积是制造薄膜的常用方法，但其速度通常比蒸发沉积慢。
为什么溅射沉积比蒸发沉积慢？4 个主要原因
1.等离子体对基底的损伤
溅射沉积使用等离子体，等离子体会产生高速原子轰击基底。
这种轰击会对基底造成损坏，并减缓沉积过程。
相比之下，蒸发沉积是从源头蒸发原子，通常产生的高速原子数量较少。
2.杂质的引入
与蒸发沉积相比，溅射的真空度较低，因此会在基底中引入杂质。
与蒸发沉积中使用的较高真空条件相比，溅射中使用的等离子体更容易引入杂质。
3.较低的温度和沉积速率
溅射是在比电子束蒸发更低的温度下进行的，这会影响沉积速率。
溅射的沉积速率较低，尤其是对电介质而言。
不过，对于更复杂的基底，溅射能提供更好的涂层覆盖率，并能生产高纯度薄膜。
4.薄膜厚度控制有限
溅射沉积可以实现较高的沉积速率，对厚度没有限制，但无法精确控制薄膜厚度。
另一方面，蒸发沉积可以更好地控制薄膜厚度。
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