确切地说， 物理气相沉积（PVD）并非由特定数量的类型来定义，而是最好理解为两种主要的、根本不同的机制：蒸发和溅射。在这两个类别中，尤其是在溅射中，开发了许多专业技术来控制最终薄膜的性能。
关键的见解不是记住PVD方法的列表，而是理解它们之间的核心区别。在蒸发材料（如沸水）和溅射材料（如离子喷砂）之间的选择是最重要的决定，因为它决定了沉积薄膜的能量、附着力和质量。
PVD的两大支柱：蒸发与溅射
从本质上讲，所有PVD过程都在真空中发生，涉及在没有化学反应的情况下将材料从源（“靶材”）物理地转移到目的地（“基板”）。用于驱散和传输这些原子的方法定义了该过程。
热蒸发：直通路径
这是概念上最简单的PVD形式。源材料在高真空室中加热，直到其原子获得足够的能量而蒸发，穿过真空，并凝结在较冷的基板上。
将其视为原子尺度的沸水并在冷镜上看到蒸汽凝结的等效过程。
溅射：台球般的碰撞
溅射是一种动量传递过程。高能离子（通常来自氩气等惰性气体）被加速撞击靶材。
这种碰撞会物理地击出或“溅射”出靶材中的原子，然后这些原子沉积到基板上。它不像沸腾，更像是微观的喷砂，其中“沙子”是单个离子，被喷出的材料形成涂层。
常见的溅射技术
溅射具有很高的通用性，是许多先进工业PVD方法的基础。这些变化侧重于提高离子轰击的效率和控制。
磁控溅射
这是最广泛使用的PVD技术之一。它使用靶材后面的强力磁铁来捕获靶材表面附近的电子。
这些被捕获的电子提高了溅射气体（如氩气）的电离效率，从而产生了致密的等离子体。与基本的溅射相比，这带来了更高的溅射速率和更快的沉积速度。
反应溅射
在这种方法中，除了惰性溅射气体外，还故意将反应性气体（如氧气或氮气）引入真空室。
溅射出的金属原子在到达基板的途中或在基板上与该气体反应，形成复合薄膜。这就是制造氮化钛（硬质涂层）或二氧化硅（绝缘体）等材料的方式。
离子束溅射
离子束溅射提供了最高级别的控制。它使用一个单独的离子源或“离子枪”来产生并加速一束受控的离子束射向靶材。
这使得等离子体产生与靶材分离，从而可以独立控制离子能量和通量。结果通常是最高质量、最致密和最精确的薄膜，这对光学涂层等应用至关重要。
应避免的常见误区：PVD与CVD
将PVD与其对应物化学气相沉积（CVD）区分开来至关重要，因为它们经常一起讨论，但从根本上是不同的。
核心区别
PVD是一个物理过程。 它涉及相变（固态到气态到固态）或动量传递（溅射）。没有发生重大的化学反应。
CVD是一个化学过程。 它使用前驱体气体，这些气体在高温下在基板表面反应形成所需的薄膜，留下挥发性的副产物被泵走。提到的AACVD和DLICVD都是CVD的类型，而不是PVD。
为什么这很重要
选择PVD通常是出于对较低沉积温度（保护基板）、沉积纯金属或复杂合金，或实现溅射过程特征的非常高的密度和附着力的需求。
CVD在复杂3D形状上实现高度均匀（保形）涂层方面表现出色，常用于特定的半导体或晶体材料生长。
为您的目标做出正确的选择
选择正确的沉积方法需要了解您对薄膜的最终目标。
- 如果您的主要重点是基本金属薄膜的高纯度和简单性： 热蒸发通常是最直接和最具成本效益的方法。
- 如果您的主要重点是强附着力、涂覆复杂合金或高沉积速率： 磁控溅射是行业的中坚力量，也是最有可能的起点。
- 如果您的主要重点是制造陶瓷或复合涂层（例如氧化物或氮化物）： 反应溅射是指定的技巧。
- 如果您的主要重点是光学或电子设备所需的最终精度、密度和低损耗薄膜： 离子束溅射提供了最高程度的过程控制。
最终，理解机制——沸腾还是轰击——是为您的材料和应用选择正确工具的关键。
总结表：
| PVD方法 | 核心机制 | 关键特性 | 常见应用 |
|---|---|---|---|
| 热蒸发 | 加热源材料以汽化原子 | 高纯度、简单过程、较低的附着力 | 基本金属薄膜、OLED、研究涂层 |
| 磁控溅射 | 离子轰击与磁等离子体约束 | 高沉积速率、强附着力、合金兼容性 | 装饰涂层、硬质涂层、半导体金属化 |
| 反应溅射 | 在反应性气体气氛（如O₂、N₂）中溅射 | 形成复合薄膜（氧化物、氮化物） | 耐磨涂层、光学薄膜、阻挡层 |
| 离子束溅射 | 使用单独的离子枪进行精确轰击 | 最高的薄膜密度、最终精度、低缺陷密度 | 高性能光学、精密电子、研究级薄膜 |
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