溅射不是化学气相沉积 (CVD) 工艺。
溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术。
4 个主要区别说明
1.作为 PVD 技术的溅射
溅射是利用高速离子将原子从源材料（通常是靶材）撞击到等离子状态。
然后将这些原子沉积到基底上。
这一过程不涉及化学反应，而是离子与目标材料之间的物理相互作用。
参考文献指出："物理气相沉积（PVD）包括不同的方法，如蒸发、溅射和分子束外延（MBE）"。
2.化学气相沉积（CVD）
化学气相沉积涉及使用挥发性前驱体，通过化学反应在基底上沉积薄膜。
参考文献解释说："化学气相沉积与 PVD 相似，但不同之处在于，CVD 使用挥发性前驱体将气态源材料沉积到基底表面。由热量或压力引发的化学反应使涂层材料在反应室中的基底上形成薄膜"。
3.3. CVD 与 PVD（包括溅射）的区别
关键区别在于沉积过程的性质。
CVD 依赖于前驱体和基底之间的化学反应，而 PVD（包括溅射）涉及原子或分子的物理沉积，无需化学反应。
参考文献明确指出："然而，CVD 的定义在于基底表面发生的化学反应。正是这种化学反应使其有别于通常不涉及化学反应的 PVD 溅射或热蒸发薄膜沉积工艺"。
4.沉积特征
由于前驱体的气态性质，CVD 通常会产生弥漫、多方向的沉积，从而使不平整的表面得到更均匀的涂层。
相比之下，PVD（包括溅射）是一种视线沉积，即在蒸汽或等离子体可以直接到达的地方进行沉积，这会影响复杂或不平整表面的厚度和均匀性。
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