不同类型的化学气相沉积（CVD）可根据化学反应的工艺压力和活化源进行分类。
1.基于工艺压力的分类
a) 常压化学气相沉积（APCVD）：该工艺在常压下进行，适合大规模生产。通常用于沉积氧化物薄膜。
b) 低压 CVD（LPCVD）：LPCVD 在减压条件下进行，通常低于大气压。它可以更好地控制沉积过程，通常用于沉积多晶硅、氮化硅和各种金属。
c) 超高真空 CVD（UHVCVD）：UHVCVD 在极低的压力下运行，接近真空条件。它可用于沉积高纯度、无缺陷的薄膜，尤其是在需要考虑污染问题的应用中。
2.根据化学反应的活化源进行分类：
a) 热激活 CVD：在这种传统的 CVD 方法中，气态前驱体通过热解离沉积在加热的基底上。这种方法需要较高的反应温度，限制了熔点较低的基底的使用。在这种技术的 CVD 反应器中，钨丝通常用作加热源。
b) 等离子体增强型 CVD（PECVD）：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体来增强化学反应和沉积过程。等离子体是通过向反应室施加射频或微波电源而产生的。PECVD 通常用于沉积高质量薄膜，如钝化层或高密度掩膜。
除上述分类外，还有一些特定的化学气相沉积方法子类，如化学浴沉积、电镀、分子束外延和热氧化。这些方法用于特定的应用，在薄膜技术方面具有独特的优势。
总的来说，化学气相沉积是一种多功能技术，可用于沉积各种材料的薄膜和涂层。它可以控制薄膜的成分、厚度和质量，因此在众多行业和应用中都很有价值。
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