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磁控溅射技术有几种类型，每种类型的特点是使用的电源类型和发生溅射的特定条件。最常见的类型包括直流（DC）磁控溅射、脉冲直流磁控溅射和射频（RF）磁控溅射。
直流（DC）磁控溅射
在这种方法中，采用直流电源在低压气体环境中产生等离子体。等离子体在目标材料附近形成，目标材料通常由金属或陶瓷制成。等离子体导致气体离子与目标碰撞，将原子喷射到气相中。磁铁组件产生的磁场可提高溅射率，并确保溅射材料均匀地沉积在基底上。溅射率可使用特定公式计算，该公式考虑的因素包括离子通量密度、单位体积内的靶原子数、靶材料的原子量以及靶和基底之间的距离。脉冲直流磁控溅射
这种技术使用脉冲直流电源，频率范围通常在 40 到 200 kHz 之间。它广泛应用于反应溅射，有两种常见形式：单极脉冲溅射和双极脉冲溅射。在这一过程中，正离子与靶材碰撞，使靶材表面积累正电荷，从而减少正离子对靶材的吸引力。这种方法在管理靶材上的正电荷积聚方面特别有效，否则正电荷积聚会阻碍溅射过程。
射频（RF）磁控溅射
射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统
RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。
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