化学气相沉积（CVD）法是一种复杂的工艺，用于通过气相中的化学反应在基底上形成固体薄膜。
化学气相沉积法的 7 个步骤
1.将反应气态物质输送到表面
前驱化学品被引入化学气相沉积反应器。
然后通过流体传输和扩散将它们传输到基底表面。
2.2. 物种在表面的吸附
前驱体分子到达基底后，会吸附在基底表面。
3.异相表面催化反应
被吸附的物种在基底表面的促进下发生化学反应。
从而形成固体沉积物。
4.4. 物种向生长点的表面扩散
发生反应的物种可能会通过表面扩散到特定的生长点，在那里薄膜成核并生长。
5.薄膜的成核和生长
在生长点，随着更多反应物的积累，薄膜开始成核和生长。
6.气态反应产物的解吸和反应产物远离表面的迁移
反应副产物从基底解吸并被运走，从而实现连续沉积。
7.挥发性化合物的蒸发和热分解
该过程通常涉及挥发性前体化合物的蒸发，然后在基底表面与其他气体发生热分解或反应。
这些步骤中的每一步都是成功沉积高质量、均匀薄膜的关键。CVD 工艺用途广泛，可在各种基底上沉积多种材料，包括金属、陶瓷和聚合物。该工艺通常在高温下进行，可在大气压力或低真空环境下操作，即使在形状复杂的表面上也能确保良好的附着力和覆盖率。生成的薄膜具有高纯度、高密度和低残余应力的特点，使 CVD 成为许多工业和研究应用的首选方法。继续探索，咨询我们的专家
