显示沉积的化学品包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）工艺中使用的各种前驱体。这些前驱体通过表面反应在基底上转化成薄膜或涂层。用于 CVD 的常见前驱体包括卤化物、氢化物、金属烷氧基、金属二烷基酰胺、金属二酮酸盐、金属羰基、金属烷氧基、有机金属和氧气。
卤化物： 卤化物前驱体包括 HSiCl3、SiCl2、TiCl4 和 WF6。这些化合物通常用于半导体工业中硅、钛和钨薄膜的沉积。卤化物通常会挥发，然后在基底表面发生反应，形成所需的材料。
氢化物： AlH(NMe3)3、SiH4、GeH4 和 NH3 等氢化物前驱体分别用于沉积铝、硅、锗和含氮薄膜。这些化合物通常具有较高的反应活性，有利于在基底上形成稳定的薄膜，因此更受青睐。
金属烷氧基化合物： TEOS（四乙基正硅酸盐）和 Tetrakis Dimethylamino Titanium（TDMAT）是 CVD 工艺中使用的金属烷氧基化合物。TEOS 通常用于沉积氧化硅，而 TDMAT 则用于沉积氮化钛。这些前驱体的优势在于它们能形成具有良好均匀性的高质量薄膜。
金属二烷基酰胺和金属二酮酸酯： 例如 Ti(NMe2) 和 Cu(acac)，分别用于沉积钛和铜薄膜。选择这些前驱体是因为它们能够形成稳定、高质量、厚度和成分可控的薄膜。
金属羰基和金属烷氧基： Ni(CO) 和 Ti(OiPr)4 是用于 CVD 的金属羰基和烷氧基化合物的例子。这些前驱体特别适用于沉积纯度高且与基底附着力好的金属膜。
有机金属： AlMe3 和 Ti(CH2tBu)等化合物在 CVD 中分别用于沉积铝膜和钛膜。有机金属前驱体具有高反应性，能形成具有特殊性能的薄膜，因此受到青睐。
氧气： 虽然不是传统意义上的前驱体，但氧气经常与其他前驱体一起用于促进氧化反应，这对沉积氧化物薄膜至关重要。
总之，显示沉积的化学物质主要是 CVD 和 PVD 过程中使用的前驱体。这些前驱体在基底上发生表面反应，形成具有特定性能的薄膜或涂层，以满足应用需求。前驱体和沉积方法的选择取决于所需的薄膜特性，如厚度、均匀性和对基底的附着力。
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