显示沉积的化学品主要是化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）工艺中使用的前驱体。
这些前驱体通过表面反应在基底上转化成薄膜或涂层。
哪些化学物质会显示沉积？7 种关键前驱体详解
1.卤化物
卤化物前驱体包括 HSiCl3、SiCl2、TiCl4 和 WF6。
这些化合物通常用于半导体工业中硅、钛和钨薄膜的沉积。
卤化物通常会挥发，然后在基底表面发生反应，形成所需的材料。
2.氢化物
AlH(NMe3)3、SiH4、GeH4 和 NH3 等氢化物前驱体分别用于沉积铝、硅、锗和含氮薄膜。
这些化合物通常具有较高的反应活性，有利于在基底上形成稳定的薄膜，因此更受青睐。
3.金属烷氧基化合物
TEOS （四乙基正硅酸盐）和 Tetrakis Dimethylamino Titanium （TDMAT）是 CVD 工艺中使用的金属烷氧基化合物。
TEOS 通常用于沉积氧化硅，而 TDMAT 则用于沉积氮化钛。
这些前驱体的优势在于它们能形成具有良好均匀性的高质量薄膜。
4.金属二烷基酰胺和金属二酮酸酯
例如，Ti(NMe2) 和 Cu(acac) 分别用于沉积钛和铜薄膜。
选择这些前驱体是因为它们能够形成稳定、高质量的薄膜，且厚度和成分可控。
5.金属羰基化合物和金属烷氧基化合物
Ni(CO) 和 Ti(OiPr)4 是用于 CVD 的金属羰基和烷氧基化合物的例子。
这些前驱体特别适用于沉积纯度高且与基底附着力好的金属膜。
6.有机金属
AlMe3 和 Ti(CH2tBu) 等化合物在 CVD 中分别用于沉积铝膜和钛膜。
有机金属前驱体具有高反应活性，能形成具有特定性能的薄膜，因此备受青睐。
7.氧气
氧气虽然不是传统意义上的前驱体，但经常与其他前驱体一起用于促进氧化反应。
这对沉积氧化物薄膜至关重要。
总之，显示沉积的化学物质主要是 CVD 和 PVD 过程中使用的前驱体。
这些前驱体在基底上发生表面反应，形成具有特定性能的薄膜或涂层，以满足应用需求。
前驱体和沉积方法的选择取决于所需的薄膜特性，如厚度、均匀性和对基底的附着力。
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