高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）工艺是半导体制造领域的一项尖端技术。
与传统的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法相比，它能在更低的温度下沉积出质量和密度更高的薄膜。
这种工艺对于填充微观介质间隙特别有效，例如先进半导体技术中的浅沟槽隔离（STI）和介质夹层中的间隙。
什么是高密度等离子体化学气相沉积工艺？5 个关键步骤详解
1.制备和设置
该工艺首先要制备半导体基底，并将其置于专门的工艺室中。
2.生成高密度等离子体
将氧气和硅源气体引入腔室，生成高密度等离子体。
这种等离子体是使用电感耦合等离子体源形成的，比 PECVD 中使用的电容耦合等离子体效率更高。
3.同时沉积和蚀刻
HDPCVD 的独特之处在于它能够在同一腔体内同时进行沉积和蚀刻。
这是通过独立控制离子通量和能量来实现的，有助于填充高纵横比间隙，而不会形成空隙或夹缝。
4.温度控制
在此过程中，基底会被加热到 550 至 700 摄氏度，从而确保薄膜沉积和蚀刻的最佳条件。
5.气体注入
包括氧气、硅源气体（如硅烷或二硅烷）和蚀刻气体（如氟化硅）在内的各种气体被小心地注入腔室，以促进沉积和蚀刻过程。
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